[发明专利]一种用于氮化硅及多晶硅的CMP抛光液在审
| 申请号： | 201711439630.9 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109971360A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 周文婷 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人： | 李佳铭;沈汶波 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化硅 多晶硅 抛光液 增速剂 二氧化硅研磨颗粒 吡咯烷化合物 吡咯化合物 吡啶化合物 哌啶化合物 羧基基团 去除 | ||
1.一种用于氮化硅及多晶硅的CMP抛光液，其特征在于，包括，二氧化硅研磨颗粒以及至少一种增速剂。所述的增速剂为含一个或多个羧基基团的吡啶化合物、哌啶化合物、吡咯烷化合物或吡咯化合物及其衍生物。
2.如权利要求1所述的CMP抛光液，其特征在于，所述二氧化硅研磨颗粒的平均粒径为80nm～200nm。
3.如权利要求1所述的CMP抛光液，其特征在于，所述二氧化硅研磨颗粒的平均粒径为100nm～160nm 。
4.如权利要求1所述的CMP抛光液，其特征在于，所述二氧化硅研磨颗粒的质量百分比浓度为2～20％。
5.如权利要求所述的CMP抛光液，其特征在于，所述二氧化硅研磨颗粒的质量百分比浓度为5％～15％。
6.如权利要求1所述的CMP抛光液，其特征在于，所述增速剂选自2-羧基吡啶、3-羧基吡啶、4-羧基吡啶、2,3-二羧基吡啶、2,4-二羧基吡啶、2,6-二羧基吡啶，3,5-二羧基吡啶、2-羧基哌啶，3-羧基哌啶，4-羧基哌啶，2,3-二羧基哌啶，2,4-二羧基哌啶，2,6-二羧基哌啶，3,5-二羧基哌啶，2-羧基吡咯烷，3-羧基吡咯烷，2,4-二羧基吡咯烷，2,5-二羧基吡咯烷，2-羧基吡咯，3-羧基吡咯，2,5-二羧基吡咯，3,4-二羧基吡啶中的一种或多种。
7.如权利要求1所述的CMP抛光液，其特征在于，所述的增速剂的质量百分比浓度为0.01～1％。
8.如权利要求1所述的CMP抛光液，其特征在于，所述的增速剂的质量百分比浓度为0.1～0.6％。
9.如权利要求1所述的CMP抛光液，其特征在于，所述CMP抛光液的pH为4-6。
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