[发明专利]半导体存储器件结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底中形成若干呈波浪型延伸的沟槽隔离结构，藉由所述沟槽隔离结构于所述半导体衬底中隔离出若干呈波浪型延伸的有源区；

2）于所述半导体衬底中形成字线，所述字线与所述有源区交叉，所述字线包括实质字线及拟置字线；

3）于所述实质字线两侧缘的有源区中分别形成源区及漏区；

4）于所述漏区上形成位线接触点；以及

5）于所述位线接触点上形成位线，所述位线与所述字线交叉；

所述沟槽隔离结构等间距排布，从而使得呈波浪型延伸的所述有源区等间距排布；所述字线等间距排布，所述位线等间距排布，所述字线与所述位线呈直线延伸，且所述位线包括与所述字线垂直交叉的分布，相邻的任一波峰及任一波谷之间的有源区至少包含一拟置字线，以将相邻的任一波峰及任一波谷之间的有源区隔成至少两个有源单元。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件结构的制作方法，其特征在于：步骤2）中，所述拟置字线包括隔离字线，所述隔离字线通入电压以作为间隔所述有源区的短边隔离沟槽，所述隔离字线的两侧缘不具备位线接触点。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件结构的制作方法，其特征在于：每两根相邻的所述隔离字线于所述有源区中隔出一有源区单元，每个所述有源区单元与两根间隔排布的所述实质字线交叉，所述两根间隔排布的所述实质字线共用一个所述漏区；步骤1）中，所述沟槽隔离结构作为间隔所述有源区单元的长边隔离沟槽；步骤2）中，所述隔离字线作为间隔所述有源区单元的短边隔离沟槽。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器件结构的制作方法，其特征在于：呈波浪型延伸的所述有源区的任一波峰及任一波谷与所述隔离字线交叉。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件结构的制作方法，其特征在于：步骤2）包括：

2-1）于所述半导体衬底中形成字线沟槽，所述字线沟槽与所述有源区交叉；

2-2）于所述字线沟槽的底部及侧壁形成第一介质层；

2-3）于所述字线沟槽中填充导电材料层，并刻蚀所述导电材料层，以使其顶面低于所述半导体衬底的顶面，以形成凹槽；以及

2-4）于所述凹槽中填充第二介质层，以掩埋所述导电材料层。

6.一种半导体存储器件结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有若干呈波浪型延伸的沟槽隔离结构，藉由所述沟槽隔离结构于所述半导体衬底中隔离出若干呈波浪型延伸的有源区；

字线，形成于所述半导体衬底中，所述字线与所述有源区交叉，所述字线包括实质字线及拟置字线，所述实质字线两侧缘的有源区中具有源区及漏区；

位线接触点，形成于所述漏区上；以及

位线，形成于所述位线接触点上，并与所述字线交叉；

所述沟槽隔离结构等间距排布，从而使得呈波浪型延伸的所述有源区等间距排布，所述字线等间距排布，所述位线等间距排布，所述字线与所述位线呈直线延伸，且所述位线包括与所述字线垂直交叉的分布，相邻的任一波峰及任一波谷之间的有源区至少包含一拟置字线，以将相邻的任一波峰及任一波谷之间的有源区隔成至少两个有源单元。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器件结构，其特征在于：所述拟置字线包括隔离字线，所述隔离字线通入电压以作为间隔所述有源区的短边隔离沟槽，所述隔离字线的两侧缘不具备位线接触点。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器件结构，其特征在于：每两根相邻的所述隔离字线于所述有源区中隔出一有源区单元，每个所述有源区单元与两根间隔排布的所述实质字线交叉，所述两根间隔排布的所述实质字线共用一个所述漏区；所述沟槽隔离结构作为间隔所述有源区单元的长边隔离沟槽；所述隔离字线作为间隔所述有源区单元的短边隔离沟槽。

9.根据权利要求7所述的半导体存储器件结构，其特征在于：呈波浪型延伸的所述有源区的任一波峰及任一波谷与所述隔离字线交叉。

10.根据权利要求6所述的半导体存储器件结构，其特征在于，所述半导体衬底中形成有字线沟槽，所述字线沟槽与所述有源区交叉，所述字线包括：

第一介质层，形成于所述字线沟槽的底部及侧壁；

导电材料层，填充于所述字线沟槽中，所述导电材料层的顶面低于所述半导体衬底的顶面，以形成凹槽；以及

第二介质层，填充于所述凹槽中，以掩埋所述导电材料层。