[发明专利]存储器完整性的检验方法、非易失性存储器以及电子装置有效
申请号: | 201711440910.1 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN109979519B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 叶润林 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/12 | 分类号: | G11C29/12;G11C29/50 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 完整性 检验 方法 非易失性存储器 以及 电子 装置 | ||
1.一种存储器完整性的检验方法,其特征在于,包括:
获得非易失性存储器中至少一待检验存储单元的阀值电压;
将读取电压以及所述阀值电压进行比对来判断所述至少一待检验存储单元所属的数据值,其中当所述阀值电压大于所述读取电压时所述数据值具有第一逻辑状态,当所述阀值电压不大于所述读取电压时所述数据值具有第二逻辑状态;
当确认所述至少一待检验存储单元所属的所述数据值后,依据所述数据值来设定预设电压;
将所述预设电压与所述至少一待检验存储单元的所述阀值电压进行比对而获得所述至少一待检验存储单元的偏移数据值,其中当所述至少一待检验存储单元的所述阀值电压大于所述预设电压时所述偏移数据值具有所述第一逻辑状态,当所述至少一待检验存储单元的所述阀值电压不大于所述预设电压时所述偏移数据值具有所述第二逻辑状态;
判断所述至少一待检验存储单元所属的所述数据值与所述至少一待检验存储单元的所述偏移数据值是否相同;以及
响应于判断所述至少一待检验存储单元所属的所述数据值以及所述至少一待检验存储单元的所述偏移数据值相同,判定所述至少一待检验存储单元的完整性没有缺陷。
2.根据权利要求1所述的存储器完整性的检验方法,其特征在于,还包括:
响应于判断至少一待检验存储单元所属的所述数据值以及至少一待检验存储单元的所述偏移数据值不同时,判定所述至少一待检验存储单元的完整性有缺陷。
3.根据权利要求1所述的存储器完整性的检验方法,其特征在于,还包括:
发送数据完整性诊断指令至所述非易失性存储器;
对所述非易失性存储器发送第一数据读取指令,以获得所述非易失性存储器中的状态暂存器的状态数据,并依据该状态数据中的忙碌比特来判断所述非易失性存储器是否完成所述数据完整性诊断指令;
当所述数据完整性诊断指令已完成时,对所述非易失性存储器发送第二数据读取指令,以获得所述状态暂存器的状态数据中的完整性验证比特;以及
依据所述完整性验证比特来判断所述非易失性存储器中的多个存储单元的完整性是否有缺陷,其中所述存储单元包括所述至少一待检验存储单元。
4.一种非易失性存储器,其特征在于,包括:
存储器阵列,包括多个存储单元;以及
控制电路,耦接所述存储器阵列,
所述控制电路进行存储器的数据完整性检验以获得所述存储单元中的至少一待检验存储单元的阀值电压,将读取电压以及所述阀值电压进行比对来判断所述至少一待检验存储单元所属的数据值,其中当所述阀值电压大于所述读取电压时所述数据值具有第一逻辑状态,当所述阀值电压不大于所述读取电压时所述数据值具有第二逻辑状态,当确认所述至少一待检验存储单元所属的所述数据值后,所述控制电路依据所述数据值来设定预设电压,将所述预设电压与所述至少一待检验存储单元的所述阀值电压进行比对而获得所述至少一待检验存储单元的偏移数据值,其中当所述至少一待检验存储单元的所述阀值电压大于所述预设电压时所述偏移数据值具有所述第一逻辑状态,当所述至少一待检验存储单元的所述阀值电压不大于所述预设电压时所述偏移数据值具有所述第二逻辑状态,判断所述至少一待检验存储单元所属的所述数据值与所述至少一待检验存储单元的所述偏移数据值是否相同;响应于判断所述至少一待检验存储单元所属的所述数据值以及所述至少一待检验存储单元的所述偏移数据值相同,判定所述至少一待检验存储单元的完整性没有缺陷。
5.根据权利要求4所述的非易失性存储器,其特征在于,还包括:
状态暂存器,储存状态数据,所述状态数据包括忙碌比特以及完整性验证比特,
其中所述忙碌比特用以表示所述非易失性存储器是否正在进行存储器的数据完整性检验,所述完整性验证比特用以表示所述存储器阵列中所述存储单元的完整性是否有缺陷。
6.根据权利要求4所述的非易失性存储器,其特征在于,还包括:
响应于判断至少一待检验存储单元所属的所述数据值以及至少一待检验存储单元的所述偏移数据值不同时,所述控制电路判定所述至少一待检验存储单元的完整性有缺陷。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司,未经华邦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711440910.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。