[发明专利]一种二硫硒化锡单晶半导体材料的制备方法在审
| 申请号： | 201711441687.2 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108103580A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 陈广福;黎永涛;胡亦渊;牟中飞;李京波 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶半导体材料 硫硒 硫化锡粉末 石英管 硫粉 硒粉 化学气相沉积 管式炉 制备 半导体材料 惰性气体条件 微纳电子器件 超薄单晶 工艺条件 块体单晶 进气端 边长 二维 沉积 保温 应用 | ||
1.一种二硫硒化锡单晶半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
a)分别将二硫化锡粉末、硒粉和硫粉置于化学气相沉积管式炉的石英管内，所述硒粉和硫粉置于所述石英管的进气端，所述二硫化锡粉末置于所述石英管的中部；
b)在惰性气体条件下，将管式炉升温至620～750℃，保温3～30分钟，生成二硫硒化锡单晶半导体材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中，二硫化锡粉末、硒粉与硫粉的质量比为(0.05～0.3)∶(0.05～1)∶(0.05～1)。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b)中，提供所述惰性气体条件的惰性气体流量为1～10sccm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b)中，升温的速率为≥22℃/min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中，二硫化锡粉末在石英管中的位置为石英管中心点±3cm处。
6.根据权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中，硒粉距石英管中心点的距离为10～12cm，硫粉距石英管中心点的距离为11～13cm。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，硒粉距石英管中心点的距离小于硫粉距石英管中心点的距离。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二硫化锡粉末上方设有衬底，在所述衬底表面沉积生成二硫硒化锡单晶半导体材料。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述衬底包括氧化硅衬底、硅片衬底、氧化硅-硅片复合衬底、云母衬底、蓝宝石衬底中的一种或几种。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述氧化硅-硅片复合衬底中氧化硅的厚度为10～350nm。
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