[发明专利]一种多取向氧化物压电薄膜的制备方法及压电薄膜

权利要求书

1.一种多取向氧化物压电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A.在基板上形成所述氧化物的非晶态固体层；

B.在步骤A中形成的所述氧化物的非晶态固体层的表面上形成图形化掩盖物，对非晶态固体层的表面进行部分覆盖，然后对覆盖处理后的非晶态固体层进行等离子体表面处理，表面处理完后去除所述非晶态固体层表面上的图形化掩盖物；

C.将经步骤B处理后的所述氧化物的非晶体固体层进行加热处理，得多取向结晶化氧化物压电薄膜。

2.根据权利要求1所述的多取向氧化物压电薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤B中未覆盖区域的压电薄膜的主晶体取向为(111)，并且所述未覆盖领域的压电薄膜的(111)晶体取向的强度占各种晶体取向强度的总和的50％以上。

3.根据权利要求1所述的多取向氧化物压电薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤B中所述等离子表面处理是在真空或大气条件下进行。

4.根据权利要求1所述的多取向氧化物压电薄膜的制备方法，其特征在于，所述压电薄膜的晶体厚度为20～200nm。

5.根据权利要求1所述的多取向氧化物压电薄膜的制备方法，其特征在于，该制备方法还包括：以步骤C处理后的压电薄膜为基底，通过外延沉积增加所述压电薄膜的膜厚，增厚的压电薄膜中的晶体取向分布与步骤C中得到的氧化物压电薄膜的晶体取向分布相同。

6.根据权利要求1所述的氧化物压电薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化物压电薄膜以Pb，Zr，Ti，Ba，Bi，Fe，Sn，Sr中的两种以上为主要成分。

7.一种如权利要求1～6任一项制备的多取向压电薄膜，其特征在于，所述压电薄膜是一种以铅、锆和钛为主要成分的氧化物压电薄膜，并包括镧、铌、锰、铁、钙、镉、锶、锗中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的多取向压电薄膜，其特征在于，所述压电薄膜的基底材料包括硅片、砷化镓、氮化镓、铁、铜、镍、铝、钛、氧化镁、氧化铝、聚酰亚胺中的一种。