[发明专利]MPS-FRD器件的加工方法

说明书

本发明涉及一种制备方法，尤其是一种MPS‑FRD器件的加工方法，属于微电子的技术领域。本发明利用了肖特基区场氧阻挡阳极P型杂质离子注入，保护肖特基区场氧下方的半导体基板，通过孔刻蚀一次性刻蚀去除ILD介质层和肖特基区场氧，从而形成MPS‑FRD阳极P‑i‑N和schottky交错的形貌结构，在设置阳极金属层后能与P阱欧姆接触，而与元胞区的半导体基板为肖特基接触，工艺步骤简单，与现有工艺兼容，缩短加工周期，能减少光刻工艺，降低加工成本，提高MPS‑FRD产品品质。

技术领域

本发明涉及一种制备方法，尤其是一种MPS-FRD器件的加工方法，属于微电子的技术领域。

背景技术

MPS(Merged P-i-N/Schottky)二极管称为PIN/肖特基混合的快恢复二极管，是一种把PIN快恢复二极管和肖特基二极管的功能组合在一起的新型器件，主流加工通过光刻注入，高温推进形成阳极P型区域，ILD介质层淀积，光刻刻蚀接触孔，然后正面金属工艺形成P-i-N与schottky交错的阳极。在具体过程中，需要对光刻注入形成阳极P型区域，增加了一道光刻成本，增长生产周期；同时，肖特基的N-区域在前段工艺中暴露，经过前段高温工艺过程会产生自掺杂现象，影响产品品质。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种MPS-FRD器件的加工方法，其工艺步骤简单，与现有工艺兼容，缩短加工周期，降低加工成本，提高MPS-FRD产品品质。

按照本发明提供的技术方案，所述MPS-FRD器件的加工方法，所述加工方法包括如下步骤：

步骤1、提供N导电类型的半导体基板，并在所述半导体基板的正面生长场氧层；

步骤2、对覆盖在半导体基板元胞区的场氧层进行刻蚀，以得到半导体基板元胞区上的肖特基区场氧；

步骤3、在上述半导体基板正面的上方进行P型杂质离子的注入，推阱后，以得到位于元胞区的半导体基板内的P阱；

步骤4、在上述半导体基板的上表面进行ILD介质淀积，以得到覆盖在半导体基板正面以及肖特基区场氧上的ILD介质层；

步骤5、对上述ILD介质层进行刻蚀，以同时去除半导体基板元胞区上的ILD介质层以及肖特基区场氧；

步骤6、在上述元胞区的半导体基板上设置阳极金属层，所述阳极金属层与半导体基板内的P阱欧姆接触，且阳极金属层与元胞区的半导体基板肖特基接触；

步骤7、对上述半导体基板的背面进行所需的背面工艺，以得到所需的阴极金属层。

在进行背面工艺后，阴极金属层与N+衬底后面接触，N+衬底通过N型缓冲层与N型漂移层连接，P阱位于N型漂移层内。

本发明的优点：利用了肖特基区场氧阻挡阳极P型杂质离子注入，保护肖特基区场氧下方的半导体基板，通过孔刻蚀一次性刻蚀去除ILD介质层和肖特基区场氧，从而形成MPS-FRD阳极P-i-N和schottky交错的形貌结构，在设置阳极金属层后能与P阱欧姆接触，而与元胞区的半导体基板为肖特基接触，工艺步骤简单，与现有工艺兼容，缩短加工周期，能减少光刻工艺，降低加工成本，提高MPS-FRD(Fast Recovery Diode，快恢复二极管)产品品质。

附图说明

图1～图3为本发明具体实施工艺过程剖视图，其中

图1为本发明进行P型杂质离子注入的示意图。

图2为本发明ILD介质层覆盖在肖特基区场氧上的示意图。

图3为本发明得到阴极金属层后的剖视图。