[发明专利]一种封装薄膜及其制备方法、光电器件在审
申请号: | 201711443182.X | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN109980117A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 谢铭;曹蔚然 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装薄膜 陶瓷膜 惰性气体离子 复合薄膜 无机材料 有机材料 陶瓷膜表面 光电器件 注入层 溅射 制备 孔洞 致密 水氧阻隔性能 抗弯折性能 层叠设置 结合性能 改性 离子 | ||
1.一种封装薄膜,其特征在于,包括层叠设置的陶瓷膜和复合薄膜,所述复合薄膜由无机材料、有机材料和惰性气体离子组成,在所述陶瓷膜和复合薄膜界面处的陶瓷膜表面掺杂有所述无机材料、有机材料和惰性气体离子并形成混合注入层。
2.根据权利要求1所述的封装薄膜,其特征在于,所述陶瓷膜包括陶瓷材料,所述陶瓷材料为氧化硅、氮化硅、氮化铝、氧化铝、氧化锌、氧化钛、氧化钨、氮化钛和氮化钽中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的封装薄膜,其特征在于,所述陶瓷膜的厚度为50-150nm。
4.根据权利要求1所述的封装薄膜,其特征在于,所述有机材料为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯和丙烯酸中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的封装薄膜,其特征在于,所述惰性气体离子为氩气离子、氦气离子、氖气离子、氪气离子和氙气离子中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的封装薄膜,其特征在于,所述复合薄膜的厚度为150-300nm。
7.一种封装薄膜的制备方法,其特征在于,包括步骤:
提供待封装器件,在所述器件表面沉积陶瓷膜;
在所述陶瓷膜表面注入无机材料、有机材料和惰性气体离子,形成混合注入层,持续注入,在所述混合注入层表面生成复合薄膜。
8.根据权利要求7所述的封装薄膜的制备方法,其特征在于,所述在所述陶瓷膜表面注入无机材料、有机材料和惰性气体离子,形成混合注入层,持续注入,在所述混合注入层表面生成复合薄膜包括如下步骤:
在真空腔体中,将有机材料、无机材料和惰性气体离子同步均匀地注入到所述陶瓷膜表面,形成混合注入层和复合薄膜。
9.根据权利要求7所述的封装薄膜的制备方法,其特征在于,所述有机材料与无机材料的质量比为1-3:1。
10.一种光电器件,包括第一电极、发光层以及第二电极,其特征在于,所述第二电极上设置有封装薄膜,所述封装薄膜为权利要求1-6任一项所述的封装薄膜, 或所述封装薄膜为权利要求7-9任一项所述方法制备的封装薄膜,所述陶瓷膜与所述第二电极叠合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择