[发明专利]一种抗浪涌电路、浪涌管及具有该浪涌管的电气设备在审
| 申请号： | 201711444201.0 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108075457A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 徐家林 | 申请（专利权）人： | 上海传英信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人： | 李佳铭;沈汶波 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浪涌 抗浪涌电路 二极管 电气设备 输出端 输入端 浪涌脉冲 二极管钳位 负极 电位连接 电源端口 负极连接 隔离电流 可调电压 驱动电压 使用寿命 正极接地 管连接 关断 漏极 源极 输出 | ||
1.一种抗浪涌电路，包括输入端VIN和输出端VOUT，一电流自所述输入端VIN流入至所述抗浪涌电路内并自所述输出端VOUT输出，其特征在于，
所述抗浪涌电路还包括：
浪涌二极管，所述浪涌二极管的正极接地，负极与所述输入端VIN连接，所述电流经所述浪涌二极管钳位至一第一电压；
N型MOS管，所述N型MOS管的源极与所述浪涌二极管的负极连接，栅极与所述抗浪涌电路的可调电压电位连接，漏极与所述输出端VOUT连接；
当所述电流的浪涌脉冲大于所述第一电压时，所述浪涌脉冲小于所述N型MOS管的驱动电压Vgs，所述N型MOS管关断，隔离所述电流。
2.如权利要求1所述的抗浪涌电路，其特征在于，
所述抗浪涌电路设于一抗浪涌模块内，所述输入端VIN、输出端VOUT和可调电压电位为设于所述抗浪涌模块外的端口。
3.如权利要求2所述的抗浪涌电路，其特征在于，
与所述浪涌二极管的正极连接的接地端为设于所述抗浪涌模块外的端口。
4.如权利要求1所述的抗浪涌电路，其特征在于，
所述抗浪涌电路还包括：
电容C，所述电容C的一端与所述输出端VOUT连接，另一接地。
5.如权利要求4所述的抗浪涌电路，其特征在于，
所述电容C的容量为1-10μF。
6.如权利要求5所述的抗浪涌电路，其特征在于，
所述电容C的容量为1μF。
7.一种浪涌管，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的抗浪涌电路。
8.一种电气设备，包括电源，其特征在于，所述电源与如权利要求1所述的浪涌管连接。
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