[发明专利]一种全固态光色晶体材料激光卡及其制备和使用方法

权利要求书

1.一种全固态光色晶体材料激光卡，其特征在于该激光卡是掺稀土/过渡金属元素的铌酸锂单晶片，或者是弛豫铁电陶瓷片，单晶片或陶瓷片的表面粗糙度Ra<0.1μm，且单晶片或陶瓷片为饱和发暗状态。

2.根据权利要求1所述的一种全固态光色晶体材料激光卡，其特征在于弛豫铁电陶瓷是锆钛酸铅铁电陶瓷Pb(Zr1-xTix)O₃，其中x的取值范围0≤x≤0.52；或者弛豫铁电陶瓷是锆钛铌镱酸铅镧Pb_0.90La_0.10[(Yb_1/2Nb_1/2)_0.15(Zr_0.425Ti_0.575)_0.85]_0.975O₃，或者弛豫铁电陶瓷是锆钛酸铅镧(Pb_1-xLa_x)(Zr_yTi_1-y)_1-x/4O₃，其中x＝0.1,y＝0.65；或者弛豫铁电陶瓷是按PbMg_1/3Nb_2/3O₃的质量百分比为71％、钛酸铅的质量百分比为29％形成的PbMg_1/3Nb_2/3O₃与PbTiO₃的固溶体。

3.根据权利要求1或2所述的一种全固态光色晶体材料激光卡，其特征在于饱和发暗状态是指用波长从300nm至450nm的超带隙的紫外光到近带隙的短波可见光进行辐照，致使透明的掺稀土/过渡金属元素的铌酸锂单晶片或透明的弛豫铁电陶瓷片的透射率下降30％～50％；致使非透明铁电陶瓷薄片的漫反射率下降20％～50％。

4.根据权利要求1或2所述的一种全固态光色晶体材料激光卡，其特征在于弛豫铁电陶瓷中晶粒直径在≤1μm微米的量级。

5.根据权利要求1或2所述的一种全固态光色晶体材料激光卡，其特征在于单晶片或陶瓷片的表面粗糙度Ra为被检测红外激光波长的十分之一至十五分之一。

6.一种全固态光色晶体材料激光卡的制备方法，其特征在于该方法按以下步骤进行：

一、将弛豫铁电陶瓷块体或掺稀土/过渡金属元素的铌酸锂单晶切成薄片，进行研磨抛光到表面粗糙度Ra<0.1um，得到抛光片；其中弛豫铁电陶瓷为非透明或透明的；

二、用波长从300nm至450nm的超带隙的紫外光到近带隙的短波可见光对抛光片进行辐照，直至抛光片达到饱和发暗效应状态，得到激光卡。

7.一种全固态光色晶体材料激光卡的使用方法，其特征在于该方法是将激光卡放置在红外激光所投射之处被红外激光辐照，即在激光卡上得到漂白图案，该漂白图案即为红外激光的光斑图样，得出红外激光的横模模式。