[发明专利]半导体晶片的脱胶方法

权利要求书

1.一种半导体晶片的脱胶方法，包括以下步骤：

第一次超声波清洗：将该半导体晶片置于具有表面活性剂的温水中进行超声波清洗；

浸泡脱胶：将该半导体晶片置于包括以下重量百分比组分的清洗剂进行浸泡：辛基酚聚氧乙烯醚8-12％、水杨酸2-5％、乙酰胺2-5％、2-羟基膦酰基乙酸4-8％、硅酸钠5-10％、葡萄糖酸钠4-6％、乙醇6-10％、异丙醇2-6％、三氯乙烯3-9％、余量为去离子水；以及

第二次超声波清洗：将该半导体晶片置于去离子水中进行超声波清洗。

2.如权利要求1所述的半导体晶片的脱胶方法，其特征在于：在进行第一次超声波清洗之前，还包括预清洗：采用去离子水清洗半导体晶片。

3.如权利要求1所述的半导体晶片的脱胶方法，其特征在于：在进行第一次超声波清洗之后且在浸泡脱胶之前，还包括：对该半导体晶片进行温水喷淋。

4.如权利要求1所述的半导体晶片的脱胶方法，其特征在于：在第一次超声波清洗中，所述表面活性剂在水中的体积比为1-2％。

5.如权利要求1所述的半导体晶片的脱胶方法，其特征在于：在第一次超声波清洗和第二次超声波清洗中，超声频率为45KHz-655KHz，水温为50-60℃，清洗时间为600-900s。

6.如权利要求4所述的半导体晶片的脱胶方法，其特征在于：在进行第二次超声波清洗之后还包括：将半导体晶片取出并吹干。

7.如权利要求1所述的半导体晶片的脱胶方法，其特征在于：在浸泡脱胶中，所述清洗剂包括以下重量百分比组分：辛基酚聚氧乙烯醚10％、水杨酸4％、乙酰胺4％、2-羟基膦酰基乙酸6％、硅酸钠7％、葡萄糖酸钠5.5％、乙醇8％、异丙醇4％、三氯乙烯7％、余量为去离子水。