[发明专利]一种Nand flash元件及其载入控制方法和装置

说明书

本发明实施例提供了一种Nand flash元件及其载入控制方法和装置，该元件包括一个封装体，封装体内封装有Nand flash内核和内部控制器，内部控制器包括基础加载模块。其中，基础加载模块用于接收上位机发送的数据信息和控制信息；内部控制器用于对Nand flash内核进行读操作、写操作、擦除操作、ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理和损耗均衡管理。本实施例的Nand flash元件通过内部控制器就可以实现对整个元件的管理，不再依赖主控制器，因此可以解决Nand flash元件因需要依赖主控制器对其进行管理而导致主控制器负担较重的问题。

技术领域

本发明涉及内存技术领域，特别是涉及一种Nand flash元件及其载入控制方法和装置。

背景技术

Nand flash是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand flash有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

Nand flash的数据是以bit的方式保存在memory cell中，一般来说，每个cell中只能存储一个bit；这些cell以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些bit line再组成Page，根据厂商或型号的不同，每页的bit line数也不同；多个page形成一个Block，例如32个page。具体一片Nandflash上有多少个Block视需要所定。

Nand flash需要控制器管理其功能，例如ECC校验、坏块管理、地址映射、损耗均衡等，然而一般的Nand flash在其封装体内均没有设置相应的内部控制器，因此，上述对其功能的管理均依赖相应的主控制器去实现，从而增加了相应主控制器的负担。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种Nand flash元件及其载入控制方法和装置，以解决Nand flash元件因需要依赖主控制器对其进行管理而导致主控制器负担较重的问题。

为了解决上述问题，本发明公开了一种Nand flash元件，包括一个封装体，所述封装体内封装有Nand flash内核和内部控制器，所述内部控制器包括基础加载模块，其中：

所述内部控制器用于对所述Nand flash内核进行读操作、写操作、擦除操作、ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理和损耗均衡管理；

所述基础加载模块用于接收上位机发送的数据信息和控制信息。

可选的，所述基础加载模块包括模式控制单元、第一载入单元和第二载入单元，其中：

所述模式控制单元用于根据上位机的控制信息控制所述基础加载模块的工作模式，所述工作模式包括普通工作模式和Debug工作模式；

所述第一载入单元用于当所述基础加载模块处于所述普通工作模式时，将产品固件加载到所述内部控制器的RAM中，并控制所述产品固件运行；

所述第二载入单元用于当所述基础加载模块处于所述Debug工作模式时，从上位机接收配置信息和低格控制程序，并根据所述配置信息控制所述低格控制程序运行。

可选的，所述内部控制还包括基础配置模块、低格模块和产品固件模块，其中：

所述基础配置模块用于存储该Nand flash内核的基础信息和配置信息；

所述低格模块用于根据所述控制信息对所述Nand flash内核进行低级格式化操作；