[发明专利]一种电镀废水深度处理系统及其工艺

权利要求书

1.一种电镀废水深度处理系统，其特征在于，包括：第一预处理装置，用于含氰废水的预处理；第二预处理装置，用于含铬废水的预处理；第三预处理装置，用于含镍废水的预处理；所述第一、第二、第三预处理装置的出液口分别连接至综合集水调节池；所述综合集水调节池按顺序依次连接综合水fenton氧化池、第三沉淀池、二级破氰池、第四沉淀池、生化子系统、深度氧化池及第五沉淀池。

2.如权利要求1所述的电镀废水深度处理系统，其特征在于，所述第一预处理装置包括：含氰废水调节池，所述含氰废水调节池连接有一第一真空泵和第二真空泵，所述第一真空泵和第二真空泵管道汇合集中连接至第一破氰池，所述第一破氰池依次连接第二破氰池和过流池，所述过流池最终管道连接至所述综合集水调节池；

所述第二预处理装置包括：含铬废水调节池，所述含铬废水调节池连接有第三真空泵和第四真空泵，所述第三真空泵和第四真空泵管道汇合集中连接至Cr⁶⁺还原池，所述Cr⁶⁺还原池依次连接第一快混池、第一慢混池及所述第一沉淀池；所述第一沉淀池最终管道连接至所述综合集水调节池；

所述第三预处理装置包括：含镍废水PH调节池，所述含镍废水PH调节池依次连接第二快混池、第二慢混池、所述第二沉淀池、含镍废水中间池，所述含镍废水中间池连接有第五真空泵和第六真空泵，所述第五真空泵和第六真空泵管道汇合集中连接至所述综合集水调节池。

3.如权利要求1或2所述的电镀废水深度处理系统，其特征在于，所述综合水fenton氧化池包括：第一还原池，所述第一还原池依次连接第三快混池、第三慢混池以及所述第三沉淀池；所述第三沉淀池通过管道连接至所述二级破氰池。

4.如权利要求3所述的电镀废水深度处理系统，其特征在于，所述二级破氰池包括：第一调节池，所述第一调节池依次连接重金属反应池、第四慢混池以及所述第四沉淀池；所述第四沉淀池还连接有一回调池，所述回调池通过管道连接至所述生化子系统。

5.如权利要求4所述的电镀废水深度处理系统，其特征在于，所述生化子系统包括：厌氧池，所述厌氧池依次连接一级好氧池、二级好氧池、第二PH调节池，所述第二PH调节池最终通过管道连接至所述深度氧化池。

6.一种电镀废水深度处理工艺，其特征在于，第一步，将含氰废水进行预处理，得到第一混合液；将含铬废水送进行预处理，得到第二混合液；含镍废水进行预处理，得到第三混合液；

第二步，将上述三种混合液混合后，送入fenton氧化池进行处理，加入100ppm的H₂O₂，反应停留时间为60-90min；机械搅拌设备的搅拌速率为60r/min；最终得到第四混合液；所述第四混合液进行泥水分离，分离后得到上层的清液和下层污泥，所述下层污泥送至污泥处理系统；

第三步，将上述所述的上层清液进行脱氮除磷后得到的清液送至深度处理，经深度处理后得到第五混合液，所述第五混合液经过泥水分离后，得到的污泥送至污水处理系统，得到的上清液进行达标排放。

7.如权利要求6所述的电镀废水深度处理工艺，其特征在于，上述第一步，将含氰废水送至第一预处理装置，所述第一预处理装置加入27.5％H₂O₂，并控制ORP值为200-300mv，共反应停留时间为40min后，机械搅拌设备的搅拌速率为60r/min，最终，得到第一混合液。

8.如权利要求7所述的电镀废水深度处理工艺，其特征在于，将含铬废水送至第二预处理装置，在所述第二预处理装置中加入还原剂焦亚硫酸钠，并控制ORP值为200-300mv，共反应停留时间为15min，机械搅拌设备的搅拌速率为60r/min，得到第二混合液；将所述第二混合液经复合碱调节PH至9.0左右进行泥水分离，停留时间为1h。

9.如权利要求8所述的电镀废水深度处理工艺，其特征在于，将含镍废水送至第三预处理装置，在所述第三预处理装置经复合碱调节PH控制在8.0-8.5左右，得到第三混合液；上述第三混合液进行泥水分离，停留时间为1h。

10.如权利要求9所述的电镀废水深度处理工艺，其特征在于，所述深度氧化处理经PH调节至9.0-9.5后在加入300ppm的七水合硫酸亚铁以及氧化剂，氧化剂投加量通过控制控制ORP值为200-300mv来进行调节，反应停留时间为30min，并机械搅拌设备的搅拌速率为45r/min，得到第五混合液。