[发明专利]一种石墨盘的修复方法

权利要求书

1.一种石墨盘的修复方法，其特征在于，包括：

对石墨盘表面进行第一裂纹检测；

当检测到所述石墨盘表面的第一裂纹宽度满足第一预设裂纹宽度时，在所述石墨盘表面制备修复层，对所述石墨盘进行修复；

其中，对石墨盘表面进行裂纹检测，包括：

对所述石墨盘进行烘烤，去除所述石墨盘表面残留的沉积物；

对所述石墨盘表面进行第二裂纹检测；

当检测到所述石墨盘表面的第二裂纹宽度小于第二预设裂纹宽度时，对所述石墨盘进行第一裂纹检测。

2.根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，当检测到所述石墨盘表面的第一裂纹宽度满足第一预设裂纹宽度时，在所述石墨盘表面制备修复层，对所述石墨盘进行修复，包括：

当检测到所述石墨盘表面的第一裂纹宽度满足第一预设裂纹宽度时，采用化学气相沉积或者物理气相沉积的方法，在所述石墨盘表面制备修复层，对所述石墨盘进行修复。

3.根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述修复层包括AlN层以及SiC层中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的修复方法，其特征在于，当采用金属有机化合物化学气相沉积的方法制备AlN层时，所述AlN层的生长压强范围为3×10³-9×10⁴Pa，生长温度范围为800-1400摄氏度；所述AlN层的生长材料为氮源氨气和铝源三甲基铝，且所述氮源氨气与所述铝源三甲基铝的摩尔比范围为10-50000；

当采用化学气相沉积的方法制备SiC层，所述SiC层的生长压力范围为13.3-1.0×10⁵Pa，生长温度范围为1150-1500摄氏度；生长材料为三甲氯硅烷，载气为氢气。

5.根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述修复层的厚度范围为10-1000nm。

6.根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述第一预设裂纹宽度为L1，其中0.1μm≤L10.1mm。

7.根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，还包括：

当检测到所述石墨盘表面的第二裂纹宽度大于或等于所述第二预设裂纹宽度时，对所述石墨盘进行报废处理。

8.根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述第二预设裂纹宽度为L2，其中L2＝0.1mm。

9.根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，对石墨盘表面进行第一裂纹检测，包括：

采用水溶性荧光检测技术、光学元件亚表面检测技术以及X射线及声发射检测技术中的至少一种，对石墨盘表面进行裂纹检测。