[发明专利]调压分接开关，开关的使用方法

说明书

本发明提供了一种调压分接开关，开关的使用方法，通过本发明，在调压分接开关中使用晶闸管连接至磁保持开关，使用晶闸管组成的调压分接开关，解决了相关技术中有载分接开关易被冲击损坏的问题，避免了对晶闸管的损害，同时在调压切换过程中，无涌流，无操作过电压。

技术领域

本发明涉及电力领域，具体而言，涉及一种调压分接开关，开关的使用方法。

背景技术

在相关技术中，有载分接开关，是一种为变压器在负载变化时提供恒定电压的开关装置。其基本原理就是在保证不中断负载电流的情况下，实现变压器绕组中分接头之间的切换，从而改变绕组的匝数，即变压器的电压比，最终实现调压的目的，其中有载分接开关是其最关键、最昂贵元件。有载分接开关大致经历了如下三个阶段：

第一代技术，铜钨或真空触头式有载分接开关。早在1920年美国通用电气公司首先制造出电抗式有载调压开关。1927年德国杨森博士发明的电阻过渡原理的有载分接开关。以后得到迅速发展，在世界各地背大量采用。电阻式有载分接开关主要由选择开关、切换开关和转动机构组成，在有载分接开关发展的近100年历史中，其电气和机械性能有了很大的提高，但基本原理和结构没有本质的变化。变压器有载分接开关绝缘油离线过滤装置，由于开关频繁地带负载切换，产生的电弧会导致开关油的裂解，产生游离碳，水分等油质的劣化，降低了油的绝缘强度，限制了开关的切换次数，甚至危及变压器的安全运行。因此，近几年来，真空有载分接开关得到了快速发展，其最典型的优点在于对绝缘油无污染。

第二代技术，晶闸管式无触头开关。随着电力电子器件的发展和应用，研发出由可控硅为核心的晶闸管开关。其原理为通过电压、电流过零检测控制，保证在电压零区附近合闸，从而避免了合闸涌流的产生，而切断又在电流过零时完成，避免了暂态过电压的出现，另外由于可控硅的触发次数较大，可以实现准动态补偿(响应时间在几十毫秒级)。然而晶闸管开关在应用上有致命的弱点：就是在通电运行时损耗很大，为了降温就需要使用面积很大的散热器，甚至需要风扇进行强迫通风；另外可控硅对电压变化率非常敏感，遇到操作过电压及雷击等电压突变的情况很容易误导通而被涌流损坏；可控硅开关的缺点是结构复杂、体积大、损耗大、成本高、可靠性差，优点是能实现过零投切、动作迅速、反应快，多用于动态补偿的场合。

第三代技术，复合式开关。利用接触器运行功耗小和可控硅开关过零投切的优点，便是一个较为理想的投切元件，这就是开发复合开关的基本思路，这种投切开关同时具备了交流接触器和电力电子投切开关二者的优点，不但抑制了涌流、避免了拉弧而且功耗较低，不再需要配备笨重的散热器和冷却风扇。复合开关自从2002年开始，由原来全国仅数家企业研发生产，至今已扩展到数十家企业，虽外型结构或电路有所不同，但内在原理基本相同：用可控硅作为电容器的投入和切除单元，用大功率永磁式磁保持继电器代替交流接触器负责保持接通。从原理上看是理想的投切元件，但实际上并非如此，存在下面一些缺陷：可控硅是一种对热和电冲击很敏感的半导体元件，一旦出现冲击电流或电压超过其容许值时，就会立即使其永久性的损坏；可控硅取能、控制等单元模块结构复杂；复合开关技术既使用可控硅又使用继电器，于是结构就变得相当复杂；复合开关的过零是由电压过零型光耦检测控制的，从微观上看它并不是真正意义上的过零投切，而是在触发电压低于2～5电角度导通，因而仍有一点涌流。

针对相关技术中的有载分接开关易被冲击损坏的问题，目前还没有有效的解决方案。

发明内容

本发明实施例提供了一种调压分接开关，开关的使用方法，以至少解决相关技术中的有载分接开关易被冲击损坏的问题。

根据本发明的一个实施例，提供了一种调压分接开关，包括：晶闸管，磁保持开关；所述磁保持开关连接至所述晶闸管，其中，所述磁保持开关包括晶闸管支路开关和直通支路开关。

可选地，所述晶闸管的数量为两个，包括第一晶闸管，第二晶闸管。

可选地，所述晶闸管支路开关连接至第一晶闸管阳极，以及连接至第二晶闸管的阴极。