[发明专利]对腔室部件进行涂层的方法和用于处理腔室的腔室部件

权利要求书

1.一种用于对腔室部件进行涂层的方法，包括：

使用第一重复次数的原子层沉积工艺将氧化钇的第一膜层沉积到用于处理腔室的腔室部件的表面上；

使用第二重复次数的所述原子层沉积工艺将氧化锆的第二膜层沉积到所述腔室部件的所述表面上；

使包括所述第一膜层和所述第二膜层的所述腔室部件退火从而使所述第一膜层和所述第二膜层互相扩散并形成包含互相扩散的YZr_xO_y固态相的涂层，其中x和y的值是基于用于沉积所述第一膜层的所述原子层沉积工艺的所述第一重复次数和用于沉积所述第二膜层的所述原子层沉积工艺的所述第二重复次数。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一膜层在所述第二膜层的沉积之前被沉积，以及其中所述第二膜层被沉积在所述第一膜层上面。

3.如权利要求1所述的方法，其中用于沉积所述第一膜层的前体包括三(N,N-双(三甲基甲硅烷基)酰胺)钇(III)、三(环戊二烯基)钇(III)、三(丁基环戊二烯基)钇(III)、或三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钇(III)中的至少一种，以及其中用于沉积所述第一膜层的反应物包括H₂O、O₂、或O₃中的至少一种。

4.如权利要求1所述的方法，其中用于沉积所述第二膜层的前体包括溴化锆(IV)、氯化锆(IV)、叔丁醇锆(IV)、四(二乙基酰胺基)锆(IV)、四(二甲基酰胺基)锆(IV)、或四(乙基甲基酰胺基)锆(IV)中的至少一种，以及其中用于沉积所述第二膜层的反应物包括H₂O、O₂、或O₃中的至少一种。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

交替地将氧化钇的第一多个额外膜层中的一个沉积到所述腔室部件的所述表面上和将氧化锆的第二多个额外膜层中的一个沉积到所述腔室部件的所述表面上，直至所述第一膜层、所述第二膜层、所述第一多个额外膜层和所述第二多个额外膜层的组合厚度达到目标厚度。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一膜层具有与所述第二膜层不同的厚度。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一膜层具有范围从2个单层到1微米的第一均匀厚度。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述第二膜层具有所述第一均匀厚度。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述第二膜层具有与所述第一均匀厚度不同的第二均匀厚度。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述涂层是包含所述YZr_xO_y固态相的同质的涂层。

11.如权利要求5所述的方法，其中所述涂层是包含所述YZr_xO_y固态相的同质的涂层。

12.一种用于处理腔室的腔室部件，包括在所述腔室部件的表面上的涂层，所述涂层已通过包括以下步骤的工艺形成：

使用第一重复次数的原子层沉积工艺将氧化钇的第一膜层沉积到所述腔室部件的表面上；

使用第二重复次数的所述原子层沉积工艺将氧化锆的第二膜层沉积到所述腔室部件的所述表面上；

使包括所述第一膜层和所述第二膜层的所述腔室部件退火从而使所述第一膜层和所述第二膜层互相扩散并形成所述涂层，其中所述涂层包含互相扩散的YZr_xO_y固态相，其中x和y的值是基于用于沉积所述第一膜层的所述原子层沉积工艺的所述第一重复次数和用于沉积所述第二膜层的所述原子层沉积工艺的所述第二重复次数。