[发明专利]一种基底及其制备方法、发光器件

权利要求书

1.一种基底的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供六方氮化硼，对六方氮化硼进行醇化处理，得到羟基化的六方氮化硼；

提供有机配体，通过所述有机配体对羟基化的六方氮化硼进行表面修饰；提供聚乙烯醇，将表面修饰后的六方氮化硼与聚乙烯醇进行混合反应，并制成纤维薄膜；

提供有机聚合物基底材料，将所述纤维薄膜以纵向贯穿填充在所述有机聚合物基底材料中，固化处理，制得基底，

其中，所述有机配体的结构为X-R-NH₂，X基团为酯基、乙烯基、亚胺基、醚基、硅氧烷基和酮基中的一种或多种，R为连接X基团和-NH₂的有机基团，

所述有机配体的X基团能够与所述羟基化的六方氮化硼表面的羟基反应形成化学键合，以实现对羟基化的六方氮化硼进行表面修饰。

2.根据权利要求1所述的基底的制备方法，其特征在于，所述有机配体为3-氨丙基三乙氧基硅烷。

3.根据权利要求1所述的基底的制备方法，其特征在于，所述六方氮化硼的尺寸为5～8000nm；和/或

所述聚乙烯醇的重均分子量为15000～40000。

4.根据权利要求1所述的基底的制备方法，其特征在于，所述将表面修饰后的六方氮化硼与聚乙烯醇进行混合反应，并制成纤维薄膜的步骤，包括：

将表面修饰后的六方氮化硼分散在有机醇中，得分散液；

将聚乙烯醇溶解在去离子水中，再加入分散液，混合反应，并制成薄膜，即得纤维薄膜。

5.根据权利要求4所述的基底的制备方法，其特征在于，所述分散液中，表面修饰后的六方氮化硼的质量百分比为1.2～37.8wt％。

6.根据权利要求1所述的基底的制备方法，其特征在于，所述将所述纤维薄膜以纵向贯穿填充在所述有机聚合物基底材料中的步骤之前，还包括将纤维薄膜预先卷叠成圆柱形的步骤。

7.根据权利要求1所述的基底的制备方法，其特征在于，所述纤维薄膜按体积百分比为6.0～71.0vol％进行填充。

8.根据权利要求1所述的基底的制备方法，其特征在于，在固化处理后，还包括对基底的上下表面进行切边处理，以显露纤维薄膜。

9.根据权利要求1所述的基底的制备方法，其特征在于，所述有机聚合物基底材料为聚二甲基硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚醚砜、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯和聚乙烯吡咯烷酮中的一种或多种。

10.根据权利要求1所述的基底的制备方法，其特征在于，所述对六方氮化硼进行醇化处理的步骤中，利用乙醇胺和乙醇对六方氮化硼进行醇化处理。

11.根据权利要求2所述的基底的制备方法，其特征在于，所述有机配体为3-氨丙基三乙氧基硅烷。

12.一种发光器件，其特征在于，包括如权利要求1～11任一所述的基底的制备方法制备的基底。

13.根据权利要求12所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件为OLED器件或QLED器件。