[发明专利]一种锗系镜片及其制备方法在审
| 申请号： | 201711448513.9 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN107966751A | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 白俊文 | 申请（专利权）人： | 宁波舜宇红外技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B1/11 | 分类号： | G02B1/11;C23C28/04 |
| 代理公司： | 北京谨诚君睿知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11538 | 代理人： | 陆鑫,延慧 |
| 地址： | 315400 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 镜片 及其 制备 方法 | ||
1.一种锗系镜片，包括锗系镜片基体(1)，其特征在于，还包括：
位于所述锗系镜片基体(1)一个面上的第一减反膜层(2)；
位于所述第一减反膜层(2)上的第一结合层(3)；
位于所述第一结合层(3)上的表面耐磨层(4)。
2.根据权利要求1所述的锗系镜片，其特征在于，还包括位于所述锗系镜片基体(1)与所述第一减反膜层(2)之间的第二结合层(5)。
3.根据权利要求1或2所述的锗系镜片，其特征在于，还包括位于所述第一减反膜层(2)和所述第一结合层(3)之间的中间层(6)。
4.根据权利要求1所述的锗系镜片，其特征在于，所述锗系镜片基体(1)的厚度为1-3mm。
5.根据权利要求1所述的锗系镜片，其特征在于，所述第一结合层(3)由锗、硅、碳化锗和碳化硅中的一种或多种构成，厚度为200-400nm。
6.根据权利要求2所述的锗系镜片，其特征在于，所述第二结合层(5)由锗、硅、碳化锗和碳化硅中的一种或多种构成。
7.根据权利要求3所述的锗系镜片，其特征在于，所述中间层(6)由硫化锌、氟化镱和锗中的一种或多种构成。
8.根据权利要求1所述的锗系镜片，其特征在于，所述锗系镜片的波长为8-12μm，平均反射率＜1％，平均透光率＞96％。
9.根据权利要求1至8之一所述的锗系镜片，其特征在于，所述表面耐磨层(4)由类金刚石薄膜构成，厚度为400-600nm。
10.一种锗系镜片的制备方法，包括：
(a)清洗锗系镜片基体(1)待镀膜面；
(b)烘烤锗系镜片基体(1)；
(c)镀制前对锗系镜片基体(1)的表面预清洗；
(d)在锗系镜片基体(1)的一个表面上镀制第一减反膜层(2)；
(e)在第一减反膜层(2)上镀制第一结合层(3)；
(f)在第一结合层(3)上镀制表面耐磨层(4)。
11.根据权利要求10所述的锗系镜片的制备方法，其特征在于，还包括：在所述(d)步骤中，在锗系镜片基体(1)的一个表面上预先镀制第二结合层(5)，然后在所述第二结合层(5)上镀制第一减反膜层(2)。
12.根据权利要求10或11所述的锗系镜片的制备方法，其特征在于，还包括：在所述(e)步骤中，在第一减反膜层(2)上预先镀制中间层(6)，然后在所述中间层(6)上镀制第一结合层(3)。
13.根据权利要求10所述的锗系镜片的制备方法，其特征在于，在所述(b)步骤中，烘烤温度为150-200℃，恒温时间＞60分钟。
14.根据权利要求10所述的锗系镜片的制备方法，其特征在于，在所述(c)步骤中，预清洗时间为10-30分钟，射频源的离子源屏极电压600-700V，离子束流300-500mA，中和功率500-700W。
15.根据权利要求10所述的锗系镜片的制备方法，其特征在于，在所述(d)步骤中，采用物理气相沉积法形成所述第一减反射膜层(2)。
16.根据权利要求10所述的锗系镜片的制备方法，其特征在于，在所述(e)步骤中，采用离子源辅助沉积法在所述第一减反膜层(2)上镀制所述第一结合层(3)。
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