[发明专利]一种钕铁硼磁体晶界扩散的方法及稀土磁体有效
| 申请号： | 201711448520.9 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109979743B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 李正;徐延龙;杨浩;张桂;辜程宏;姚刚;王震西 | 申请（专利权）人： | 宁波科宁达工业有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 | 代理人： | 武玉琴;刘国伟 |
| 地址： | 315803 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钕铁硼 磁体 扩散 方法 稀土 | ||
1.一种钕铁硼磁体晶界扩散的方法，其特征在于，包括步骤：
A、将RE1-y-zAlyMz合金粉末中的一种或RE1-y-zAlyMz合金粉末中的多种混合作为涂覆粉末，所述涂覆粉末的平均粒度D50为1~10μm；所述RE1-y-zAlyMz合金中RE为Pr、Gd、Ho、Er、Dy、Tb元素中的一种或多种，M为Fe、Co、Ni、Cu中的一种或者多种，所述RE1-y-zAlyMz合金包含非晶相；
B、将所述涂覆粉末与有机液体、粘结剂混合均匀，获得涂料；
C、将所述涂料涂覆到钕铁硼磁体的表面；
D、将涂覆后的磁体放入真空炉中，在400~600℃进行热处理，热处理时间0.5~1h，使所述涂覆粉末的非晶相发生晶化；
E、将热处理后的磁体在800~950℃进行晶界扩散处理；
F、将晶界扩散后的磁体在450~600℃进行回火处理，获得稀土磁体。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括步骤：通过熔炼获得RE1-y-zAlyMz铸片，将所述RE1-y-zAlyMz铸片破碎后获得所述RE1-y-zAlyMz合金粉末。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述RE1-y-zAlyMz铸片的厚度为0.02~0.5mm。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将所述RE1-y-zAlyMz铸片破碎的流程包括：
将所述RE1-y-zAlyMz铸片进行氢破，获得粗粉末；
对所述粗粉末进行细磨，获得所述RE1-y-zAlyMz合金粉末。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述氢破过程中脱氢处理的温度为300~350℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述涂料中涂覆粉末与有机液体、粘结剂的质量比为100：（10~30）：（1~5）。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤C中涂覆到所述钕铁硼磁体表面的涂覆粉末的质量为所述钕铁硼磁体质量的 0.2~0.8wt%。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钕铁硼磁体的厚度为0.5~12mm。
9.一种稀土磁体，其特征在于，所述稀土磁体为利用权利要求1~8任一所述方法制备的稀土磁体。
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