[发明专利]一种微热盘及其制作方法

权利要求书

1.一种微热盘，包括：由下往上依次层叠的衬底(1)、绝缘支撑层(2)和电阻加热层(3)，所述衬底(1)的中部设置有温度隔离腔体(11)，所述温度隔离腔体(11)上部的绝缘支撑层(2)为温度隔离悬膜(21)，所述电阻加热层(3)位于所述绝缘支撑层(2)上，所述电阻加热层(3)的加热区域(31)位于所述温度隔离悬膜(21)的中部，其特征在于，所述温度隔离腔体(11)的边缘处的衬底(1)上设置有与所述温度隔离腔体(11)贯通为一体的形变隔离腔体(12)，所述形变隔离腔体(12)上部的悬膜为形变隔离悬膜(22)，所述形变隔离悬膜(22)上设有使得所述温度隔离腔体(11)与外部环境之间气压平衡的通孔(23)；

所述形变隔离悬膜(22)的表面无所述电阻加热层(3)；

所述通孔有多个通孔或形成环状通孔；

所述温度隔离腔体(11)的距离所述加热区域(31)最远的边缘处的衬底(1)上设置有所述形变隔离腔体(12)。

2.根据权利要求1所述的一种微热盘，其特征在于，所述形变隔离腔体(12)为具有狭长的凹陷通道的腔体结构，所述凹陷通道的长度与宽度比大于1，所述通孔(23)位于所述凹陷通道的最深处。

3.根据权利要求1至2任一项所述的一种微热盘，其特征在于，所述电阻加热层(3)的材料为：金属铂，金属钽，金属钨，金属铱，金属钌，金属镍，以及其合金、掺杂单晶硅混合物、掺杂多晶硅混合物、金属硅化物中的一种；

所述衬底(1)的材料为单晶硅、多晶硅、石英、蓝宝石、氧化钇、多孔阳极氧化铝或多孔硅；

所述绝缘支撑层(2)的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或其组合。

4.一种如权利要求1至3任一项所述的微热盘的制作方法，其特征在于，包括：

步骤1、在所述衬底上沉积所述绝缘支撑层；

步骤2、在所述绝缘支撑层上形成所述电阻加热层；

步骤3、光刻开通孔；

步骤4、对所述衬底进行蚀刻，释放悬膜，得到所述温度隔离腔体和所述形变隔离腔体，所述温度隔离腔体和所述形变隔离腔体贯通为一体。

5.根据权利要求4所述的微热盘的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，当通过所述通孔对所述衬底进行正面蚀刻时，在所述步骤1之前，所述方法还包括：

步骤5、在所述衬底上的所述温度隔离腔体和所述形变隔离腔体的位置预先制作厚二氧化硅层，其中，所述厚二氧化硅层是通过电化学腐蚀或感应耦合等离子体蚀刻的方式形成多孔硅并对所述多孔硅进行氧化得到。

6.根据权利要求5所述的微热盘的制作方法，其特征在于，所述步骤5还包括：对所述二氧化硅层进行表面封孔，并通过回蚀刻方法或化学机械抛光技术对表面封孔的所述二氧化硅层表面进行表面平坦化处理。