[发明专利]一种化合物半导体HBT器件的补偿式制作方法

权利要求书

1.一种化合物半导体HBT器件的补偿式制作方法，其特征在于包括以下步骤：

1） 提供已完成部分器件制程的晶圆结构，所述晶圆结构包括基极外延、发射极平台和基极金属，所述发射极平台和基极金属设于基极外延上且基极金属绕设于发射极平台外侧；

2） 提供光罩，光罩图形包括与预设基极台阶图形匹配的预设部分以及由预设部分的顶角向外延伸形成的补偿部分，所述预设基极台阶图形为第一方形，所述补偿部分为与第一方形的顶角部分重合的第二方形，所述第一方形的顶角位于第二方形的第一对角线上并不超过第二方形的第二对角线；

3） 于所述晶圆结构表面形成光阻层，采用所述光罩曝光、显影后形成与光罩图形对应的遮蔽层；

4） 对所述基极外延进行湿法蚀刻以形成基极台阶，所述基极台阶边缘与所述基极金属边缘的距离为0.3~0.5 μm。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述基极台阶边缘与所述基极金属边缘的距离为0.3~0.35 μm。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述基极外延包括层叠的n型收集极层和p型基极层，所述发射极平台和基极金属设于p型基极层上。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：所述n型收集极层为n型GaAs，所述p型基极层为p型GaAs。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于：所述湿法蚀刻的蚀刻液为磷酸和过氧化氢的水溶液。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于：所述蚀刻液为体积比H₃PO₄:H₂O₂:H₂O=0.5~1.5:0.5~1.5:10。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述基极金属环绕所述发射极平台的三侧，且两末端与所述发射极平台平齐。