[发明专利]柔性显示面板的弯折区结构及其制作方法在审
申请号: | 201711450126.9 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN108231839A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 陈彩琴;刘丹 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;武岑飞 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层间绝缘层 绝缘层 有机层 换线 走线 组合绝缘层 柔性基板 平坦层 弯折区 柔性显示面板 加宽 凸块 开口 凸块下陷 上表面 填充 腐蚀 暴露 制作 | ||
本发明提供了一种柔性显示面板的弯折区结构。该弯折区结构包括:柔性基板;组合绝缘层,设置于柔性基板上;层间绝缘层,设置于组合绝缘层上,层间绝缘层和组合绝缘层中形成暴露部分柔性基板的过孔;有机层间绝缘层,填充到过孔中,其包括超出层间绝缘层的上表面且彼此间隔的两个凸块;走线换线层,设置于有机层间绝缘层上;平坦层,设置于走线换线层、有机层间绝缘层和层间绝缘层上;将过孔在层间绝缘层中的开口的宽度加宽,以使凸块的厚度与走线换线层的厚度之和小于平坦层的厚度。本发明通过加宽过孔在层间绝缘层中的开口的宽度,以使有机层间绝缘层的凸块下陷并降低其厚度,从而不会使走线换线层超出平坦层而被腐蚀,进而提高器件的稳定性。
技术领域
本发明属于柔性显示技术领域,具体地讲,涉及一种柔性显示面板的弯折区结构及其制作方法。
背景技术
目前,柔性OLED显示面板弯折区(BendingArea)BA的走线的设计仍然采用第一走线(其与晶体管的栅极采用相同材料同时制成)GE1和第二走线(其与存储电容器的第一电容电极采用相同材料同时制成)GE2换线至走线换线层(其与晶体管的源漏极采用相同材料同时制成)SD的方式,这样可避免第一走线GE1和第二走线GE2由于应力较大而出现折断现象,具体结构如图1所示。在图1中,第一走线GE1、第二走线GE2与走线换线层SD均不在同一层,第一走线GE1和第二走线GE2分别通过过孔(未示出)与各自对应的走线换线层SD连接。其中,图1示出的深孔DH用于填充有机绝缘材料,以在弯折时更好地释放应力,将在下面进行描述。
图2是现有技术的柔性OLED显示面板的弯折区结构的示意图。参照图2,在现有的柔性OLED显示面板的弯折区中,层间绝缘层ILD为三层设计,其包括由SiO2制成的第一层间绝缘层ILD1、由SiNx制成的第二层间绝缘层ILD2以及由有机绝缘材料制成的有机层间绝缘层OILD。有机层间绝缘层OILD仅在弯折区中有,诸如显示区等其他区域没有有机层间绝缘层OILD。通常有机层间绝缘层OILD将灌入弯折区的深孔(Dip Hole)DH中,以提高弯折区的耐折性。此外,第一走线GE1形成在第一绝缘层GI1上,第二走线GE2形成在第二绝缘层GI2上,走线换线层SD形成在有机层间绝缘层OILD上,图2为了便于图示有机层间绝缘层OILD如何灌入过孔DH中,因此没有示出第一走线GE1和第二走线GE2。此外,在图2中,V2表示过孔DH在第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2中的开口宽度,V1表示两个凸块B1的外边缘之间的间距。
在实际制程中,有机层间绝缘层OILD在灌入过孔DH中后会在第二层间绝缘层ILD2上分别形成彼此间隔的两个凸块B1,这两个凸块B1的厚度均为1μm。如上所述,当走线换线层SD形成在有机层间绝缘层OILD上时,走线换线层SD的厚度为0.7μm。这样,凸块B1的厚度与走线换线层SD的厚度之和为1.7μm,而平坦层PLN的厚度为1.5μm,如此会导致凸块B1的走线换线层SD超出平坦层PLN,在后面进行阴极蚀刻(Anode Etch)时,会将超出平坦层PLN的走线换线层SD腐蚀掉,从而影响走线换线层SD与第一走线GE1和第二走线GE2的连接稳定性,进而影响器件特性。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题,本发明的目的在于提供一种能够降低凸块厚度以使凸块和走线换线层的厚度低于平坦层厚度的柔性显示面板的弯折区结构及其制作方法。
根据本发明的一方面,提供了一种柔性显示面板的弯折区结构,所述弯折区结构包括:柔性基板;组合绝缘层,设置于所述柔性基板上;层间绝缘层,设置于所述组合绝缘层上,所述层间绝缘层和所述组合绝缘层中形成暴露部分所述柔性基板的过孔;有机层间绝缘层,填充到所述过孔中,所述有机层间绝缘层包括超出所述层间绝缘层的上表面且彼此间隔的两个凸块;走线换线层,设置于所述有机层间绝缘层上;平坦层,设置于所述走线换线层、有机层间绝缘层和层间绝缘层上;其中,将所述过孔在所述层间绝缘层中的开口的宽度加宽,以使所述凸块的厚度与所述走线换线层的厚度之和小于所述平坦层的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的