[发明专利]掺杂与非掺杂互补型白光有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种掺杂与非掺杂互补型白光有机电致发光器件，其特征在于：包括基板、阳极、阴极和介于所述阳极与所述阴极之间的有机功能层和电荷生成层；

所述有机功能层包括至少一层掺杂蓝光层与至少一层非掺杂互补光发光层，所述掺杂发光层与非掺杂发光层分别位于不同的发光单元。

2.根据权利要求1所述的掺杂与非掺杂互补型白光有机电致发光器件，其特征在于：所述掺杂蓝光层的掺杂主体为双极性主体。

3.根据权利要求2所述的掺杂与非掺杂互补型白光有机电致发光器件，其特征在于：所述双极性主体为由一种材料制成或由p型主体与n型主体混合而成。

4.根据权利要求3所述的掺杂与非掺杂互补型白光有机电致发光器件，其特征在于：所述有机电致发光器件的发光单元里面的每层发光层厚度为0.01-200nm。

5.根据权利要求4所述的掺杂与非掺杂互补型白光有机电致发光器件，其特征在于：所述有机电致发光器件中的间隔层的厚度为0.01-30nm。

6.根据权利要求5所述的掺杂与非掺杂互补型白光有机电致发光器件，其特征在于：所述间隔层采用非掺杂技术进行制备而成。

7.根据权利要求1所述的掺杂与非掺杂互补型白光有机电致发光器件，其特征在于：所述有机电致发光器件的结构为：ITO/HAT-CN(100nm)/NPB(15nm)/TCTA(5nm)/TCTA：FIrpic(10nm,8％)/TPBi：FIrpic(10nm,8％)/TPBi(15nm)/Bepp₂:KBH₄(10nm,15％)/HAT-CN(120nm)/NPB(15nm)/TCTA(5nm)/Ir(dmppy)₂(dpp)(0.9nm)/TmPyPB(50nm)/Cs₂CO₃(1nm)/Al(200nm)。

8.一种制备权利要求7所述的掺杂与非掺杂互补型白光有机电致发光器件的方法，其特征在于：包括下列步骤：

(1)、在基板上以溅射方法制备ITO薄膜作为阳极。

(2)、再在阳极上以真空蒸镀方法制备100nm的HAT-CN作为空穴注入层。

(3)、在上述空穴注入层上以真空蒸镀方法制备15nm厚度的NPB薄膜作为空穴传输层1。

(4)、在上述空穴注入层1上以真空蒸镀方法制备5nm厚度的TCTA薄膜作为空穴传输层2。

(5)、在上述空穴注入层2上以真空蒸镀方法制备10nm的TCTA：FIrpic与10nm的TPBi：FIrpic薄膜作为蓝色磷光层。

(6)、在上述蓝色磷光层上以真空蒸镀方法制备15nm厚度的TPBi薄膜作为电子传输层。

(7)、在上述电子传输层层上以真空蒸镀方法制备10nm厚度的Bepp₂：KBH4薄膜作为电子注入层。

(8)在上述电子注入层上以真空蒸镀方法制备120nm厚的HAT-CN与15nm的NPB薄膜厚作为电荷生成层。

(9)、在上述电荷生成层上以真空蒸镀方法制备5nm厚度的TCTA薄膜作为空穴传输层。

(10)、在上述空穴注入层上以真空蒸镀方法制备0.9nm厚度的Ir(dmppy)₂(dpp)薄膜作为黄色磷光层。

(11)、在上述黄色磷光层上以真空蒸镀方法制备50nm厚度的TmPyPB薄膜作为电子传输层。

(12)、在上述电子传输层上以真空蒸镀方法制备1nm的Cs₂CO₃薄膜作为电子注入层。