[发明专利]平面雪崩光电二极管

权利要求书

1.一种雪崩光电二极管，包括：

第一半导体层；

与所述第一半导体层相邻的倍增层；

与所述倍增层相邻、与所述第一半导体层相对的电荷控制层；

第二半导体层，所述第二半导体层是低掺杂的或非故意掺杂的，所述第二半导体层与所述电荷控制层相邻，其中所述第二半导体层在所述电荷控制层的与所述倍增层相对的一侧；

梯度吸收层，与所述第二半导体层相邻，其中所述梯度吸收层在所述第二半导体层的与所述第一半导体层相对的一侧，所述梯度吸收层是掺杂的并且与所述第二半导体层直接接触；以及

阻挡层，定位为与所述梯度吸收层相邻，其中所述阻挡层在所述梯度吸收层的与所述第二半导体层相对的一侧，所述阻挡层与所述梯度吸收层直接接触，并且

其中所述梯度吸收层被刻蚀以在与所述梯度吸收层直接接触的所述第二半导体层的顶部上限定小面积吸收区域，并且

所述梯度吸收层的截面宽度小于所述电荷控制层和倍增层的截面宽度，其中所述电荷控制层和倍增层的截面宽度基本相等。

2.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，进一步包括位于所述电荷控制层和所述第二半导体层之间的数字梯度层。

3.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，其中所述第一半导体层由磷化铟构成。

4.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，其中所述倍增层由砷化铟铝构成。

5.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，其中所述梯度吸收层由砷化铟镓构成。

6.如权利要求1所述的雪崩光电二极管，进一步包括与所述第一半导体层相邻的第一接触部。

7.如权利要求6所述的雪崩光电二极管，进一步包括与所述第二半导体层的顶部上的所述小面积吸收区域相邻的第二接触部。

8.如权利要求7所述的雪崩光电二极管，其中所述雪崩光电二极管的至少一部分被钝化结构钝化。

9.如权利要求8所述的雪崩光电二极管，其中所述钝化结构由苯并环丁烯构成。