[发明专利]均匀半导体纳米线和纳米片发光二极管有效
| 申请号： | 201711452325.3 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109411574B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | D·K·纳亚克;S·R·班纳;A·P·雅各布 | 申请（专利权）人： | 格芯美国公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/04;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 均匀 半导体 纳米 发光二极管 | ||
1.一种用于制造半导体结构的方法，包括：
在缓冲层上形成第一电介质；
在所述第一电介质上形成第二电介质，其中所述缓冲层、所述第一电介质和所述第二电介质构成一结构；
蚀刻通过所述结构的所述第一电介质和所述第二电介质的多个开口，所述蚀刻在所述缓冲层上停止；
用种子材料填充所述多个开口；以及
去除所述结构的所述第二电介质以暴露与所述多个开口的形状一致的多个纳米线或纳米片种子。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述纳米线或纳米片种子的侧壁上形成多个量子阱并且在所述多个量子阱的侧壁上形成至少一种材料。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述量子阱中的每一个由GaN和InGaN构成。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述纳米线或纳米片种子由通过所述多个开口在所述缓冲层的暴露部分上生长的GaN或InGaN构成。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述至少一种材料包括p型GaN。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述缓冲层由GaN构成。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电介质和所述第二电介质材料是不同的材料。
8.一种用于制造半导体结构的方法，包括：
直接在缓冲层上形成第一电介质材料；
直接在所述第一电介质材料上形成第二电介质材料；
蚀刻穿过所述第一电介质材料和所述第二电介质材料的多个开口，暴露所述缓冲层；
在所述多个开口中从所述暴露的缓冲层生长纳米线或纳米片种子；
去除所述第二电介质材料以部分地暴露与所述多个开口的形状一致的多个形状均匀的纳米线或纳米片；
在所述形状均匀的纳米线或纳米片的侧壁上形成多个量子阱；以及
在所述多个量子阱中的每一个的侧壁上形成至少一种材料。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述纳米线或纳米片种子是在所述缓冲层上外延生长的GaN材料。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述缓冲层为GaN材料。
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