[发明专利]一种提高击穿电压的大功率器件模块结构在审
| 申请号： | 201711452884.4 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109979985A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 陆宇;沈立;周润宝;沈金龙;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海卓弘微系统科技有限公司;上海北京大学微电子研究院;上海芯哲微电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阶梯型 埋氧层 击穿电压 介质埋层 双层复合 大功率器件 复合介质 模块结构 多晶硅 新结构 两层 漏端 埋层 源端 填充 漏洞 | ||
【权利要求书】：
1.一种SOI高压器件新结构，包括漂移区，埋氧层，衬底，其特征是漂移区从源端到漏端逐渐变薄，但漏端的击穿电压不受漂移区变薄而降低。
2.根据权利要求1所术的SOI高压器件,其特征是埋氧层将是阶梯型埋氧层。
3.根据权利要求1所术的SOI高压器件,其特征是源端到漏端埋氧层将是双面阶梯型埋氧层。
4.根据权利要求1所术的SOI高压器件,其特征是漏端下方将是双层复合介质埋层结构。
5.根据权利要求3所术的SOI高压器件,其特征是双层复合介质埋层之间开有窗口。
6.根据权利要求1所术的SOI高压器件,其特征是双层复合介质埋层之间将填充多晶硅介质。
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