[发明专利]芯片温度计算方法及芯片温度计算装置

权利要求书

1.一种芯片温度计算方法，适用于计算一封装架构内的一芯片的温度，该封装架构包括该芯片、该芯片的至少一上层及该芯片的多个下层，其特征在于，该芯片温度计算方法包括：

计算对应该至少一上层的一上层热阻及对应该些下层的一下层热阻；以及

根据该上层热阻及该下层热阻计算该芯片的一整体热阻，并根据该整体热阻计算该芯片的一温度，

其中计算该上层热阻的步骤包括：

建立该至少一上层的热阻性能数据库及等效材料参数，其中等效材料参数包括结构的尺寸与性质，热阻性能数据库包括有该至少一上层的热传导系数、热源长、热源宽、载板长、载板宽、载板厚度、横向热传导、纵向热传导，或热阻性能；

获得该至少一上层的第M层的边界条件，其中边界条件包括有热传导系数；

根据该第M层的该边界条件、该等效材料参数及该第M层的该热阻性能数据库获得该第M层的热阻，并将该第M层的热阻转换成该至少一上层的第M+1层的该边界条件，其中该第M层与该芯片的距离比该第M+1层与该芯片的距离远；以及

根据每一该至少一上层的热阻来获得该上层热阻；

其中计算该下层热阻的步骤包括：

建立每一该些下层的一热阻性能数据库及一等效材料参数；

获得该些下层的一第N层的一边界条件；以及

根据该第N层的该边界条件、该等效材料参数及该第N层的该热阻性能数据库获得该第N层的热阻，并将该第N层的热阻转换成该些下层的一第N+1层的该边界条件，其中该第N层与该芯片的距离比该第N+1层与该芯片的距离远。

2.如权利要求1所述的芯片温度计算方法，其中计算该下层热阻的步骤还包括：

将每一该些下层的热阻的加总，加上对应该些下层的一边界条件热阻来获得该下层热阻，其中该边界条件热阻根据该些下层的一第一层的该边界条件及该第一层的截面积来获得。

3.如权利要求1所述的芯片温度计算方法，其中将该第N层的热阻转换成该些下层的该第N+1层的该边界条件的步骤包括：

根据该第N层的热阻及该第N+1层的截面积来获得该第N+1层的该边界条件，或是根据该第N层的热阻、一第N-1层的热阻及该第N+1层的截面积来获得该第N+1层的该边界条件。

4.如权利要求1所述的芯片温度计算方法，其中根据该第N层的该边界条件、该等效材料参数及该第N层的该热阻性能数据库获得该第N层的热阻的步骤包括：

将该第N层的该边界条件及该等效材料参数输入该第N层的该热阻性能数据库，并根据一机器学习模块来获得该第N层的热阻，其中该机器学习模块包括一类神经网络演算法、一决策树演算法或一随机森林演算法。

5.如权利要求1所述的芯片温度计算方法，其中每一该些下层的该热阻性能数据库通过一数学解析解、一数学半经验公式或一电脑模拟方法来建立。

6.如权利要求1所述的芯片温度计算方法，其中该至少一上层包括一封模层，且该些下层包括一印刷电路板层、一凸块层及一重分布层。