[发明专利]瞬间电压抑制装置

权利要求书

1.一种瞬间电压抑制装置，其特征在于，包括：

一基板；

一第一半导体层，具有一第一导电型态且设置于该基板上；

一第二半导体层，具有一第二导电型态且设置于该第一半导体层上，其中该第二导电型态相反于该第一导电型态；

一第一阱，具有该第一导电型态且设置于该第二半导体层中；

一第二阱，具有该第一导电型态且设置于该第二半导体层中，其中该第二阱与该第一阱相邻设置但彼此分离；

一第一重掺杂区，具有该第二导电型态且设置于该第一阱与该第二阱之间且延伸进入相邻两侧的该第一阱与该第二阱中，其中该第一重掺杂区的底部高于该第一阱与该第二阱的底部；

一第二重掺杂区，具有该第一导电型态且设置于该第一重掺杂区下的该第一阱中；以及

一第三重掺杂区，具有该第一导电型态且设置于该第一重掺杂区下的该第二阱中。

2.如权利要求1所述的瞬间电压抑制装置，其特征在于，该第二重掺杂区的掺质浓度与该第一阱的掺质浓度的比值以及该第三重掺杂区的掺质浓度与该第二阱的掺质浓度的比值各自为10至500。

3.如权利要求1所述的瞬间电压抑制装置，其特征在于，该第一阱与该第二阱之间的距离与该第一重掺杂区的宽度的比值为大于0且小于或等于0.9。

4.如权利要求1所述的瞬间电压抑制装置，其特征在于，该第二重掺杂区与该第三重掺杂区之间的距离与该第一重掺杂区的宽度的比值为0.1至0.4。

5.如权利要求1所述的瞬间电压抑制装置，其特征在于，该第一重掺杂区直接接触该第一阱与该第二阱之间的该第二半导体层。

6.如权利要求1所述的瞬间电压抑制装置，其特征在于，该第一重掺杂区具有相对的一第一侧壁以及一第二侧壁，其中该第二重掺杂区的一侧壁与该第一重掺杂区的该第一侧壁实质上相互对齐，且该第三重掺杂区的一侧壁与该第一重掺杂区的该第二侧壁实质上相互对齐。

7.如权利要求1所述的瞬间电压抑制装置，其特征在于，更包括：

一第四重掺杂区，具有该第二导电型态且设置于该第一阱中；

一第五重掺杂区，具有该第二导电型态且设置于该第二阱中；以及

一第六重掺杂区，具有该第一导电型态且设置于该第二半导体层中，其中该第六重掺杂区环绕该第一重掺杂区、该第四重掺杂区以及该第五重掺杂区并延伸进入该第一阱与该第二阱中。

8.一种瞬间电压抑制装置，其特征在于，包括：

一基板；

一第一半导体层，具有一第一导电型态且设置于该基板上；

一第二半导体层，具有一第二导电型态且设置于该第一半导体层上，其中该第二导电型态相反于该第一导电型态；

一第一阱，具有该第一导电型态且设置于该第二半导体层中；

一第一重掺杂区，具有该第二导电型态且设置于该第一阱中；以及

一第二重掺杂区，具有该第一导电型态且设置于该第一重掺杂区下的该第一阱中；

该第二重掺杂区的侧壁与该第一重掺杂区的侧壁实质上相互对齐。

9.如权利要求8所述的瞬间电压抑制装置，其特征在于，该第二重掺杂区的掺质浓度与该第一阱的掺质浓度的比值为10至500。

10.如权利要求8所述的瞬间电压抑制装置，其特征在于，更包括：

一第三重掺杂区，具有第一导电型态且设置于该第一重掺杂区下的该第一阱中，其中该第三重掺杂区与该第二重掺杂区分别位于该第一重掺杂区底部两侧的该第一阱中且该第三重掺杂区与该第二重掺杂区彼此分离。

11.如权利要求10所述的瞬间电压抑制装置，其特征在于，该第二重掺杂区与该第三重掺杂区之间的距离与该第一重掺杂区的宽度的比值为0.1至0.4。

12.如权利要求10所述的瞬间电压抑制装置，其特征在于，该第一重掺杂区具有相对的一第一侧壁以及一第二侧壁，其中该第二重掺杂区的一侧壁与该第一重掺杂区的该第一侧壁实质上相互对齐，且该第三重掺杂区的一侧壁与该第一重掺杂区的该第二侧壁实质上相互对齐。