[发明专利]Cu湿法刻蚀方法在审
| 申请号： | 201711454959.2 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108183069A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 朱丰;吴庆才;侯永涛;杨涛;刘杰 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L21/3213;H01L21/768 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 唐静芳 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属掩膜层 第二金属层 湿法腐蚀 光刻胶 溅射 第一金属层 湿法刻蚀 去除 生长 氧化物层表面 沉积系统 尺寸可控 干法刻蚀 光刻图形 横向腐蚀 基板放置 氧化物层 基板 湿法 显影 旋涂 沉积 线条 曝光 | ||
1.一种Cu湿法刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
S1：将基板放置于PECVD沉积系统中，在所述基板上沉积形成氧化物层；
S2：在所述氧化物层表面溅射生长第一金属层，在所述第一金属层的表面溅射生长第二金属层，再在所述第二金属层的表面溅射形成金属掩膜层；
S3：在所述金属掩膜层的表面旋涂光刻胶，并对所述光刻胶曝光、显影得到光刻图形；
S4：干法刻蚀或湿法腐蚀所述金属掩膜层，再对所述第二金属层进行湿法腐蚀处理；
S5：最后进行光阻去除处理，再湿法去除所述金属掩膜层。
2.如权利要求1所述的Cu湿法刻蚀方法，其特征在于，所述步骤“S4”中，在对所述第二金属层进行湿法腐蚀之前需进行烘烤处理，烘烤温度范围为25～100℃，烘烤时间范围为0～20min。
3.如权利要求1所述的Cu湿法刻蚀方法，其特征在于，所述金属掩膜层的厚度范围为10～30nm。
4.如权利要求3所述的Cu湿法刻蚀方法，其特征在于，所述步骤“S2”中，所述金属掩膜层为Ti与TiN的叠层或TiN单层或SiN单层或Al。
5.如权利要求1所述的Cu湿法刻蚀方法，其特征在于，所述第一金属层为Ti与TiN的叠层，其中，所述Ti的厚度范围为10～30nm，所述TiN的厚度范围为10～40nm。
6.如权利要求1所述的Cu湿法刻蚀方法，其特征在于，所述第二金属层为Ta与Cu的叠层，其中，所述Ta的厚度范围为10～40nm，所述Cu的厚度范围为100～2000nm。
7.如权利要求1所述的Cu湿法刻蚀方法，其特征在于，所述步骤“S1”中，所述氧化物层的厚度范围100～300nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
