[发明专利]CoolMOS结构在审
| 申请号： | 201711455438.9 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109980008A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 沈立;陆宇;周润宝;沈金龙;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海卓弘微系统科技有限公司;上海芯哲微电子科技股份有限公司;上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漂移区 击穿电压 掺杂 制作 制造成本 掩模板 | ||
【权利要求书】：
1.一种CoolMOS结构，包括漂移区以及漂移区中掺杂浓度的分布情况，漂移区是由多次淀积外延层得到的，其特征在于在淀积外延层的时候调节外延层的电阻。
2.如权利要求1所述的CoolMOS结构，其特征在于，该漂移区浓度的阶梯性用来提高击穿电压。
3.如权利要求1所述的CoolMOS结构，其特征在于，所述漂移区是多次淀积外延层得到的。
4.如权利要求2所述的CoolMOS结构，其特征在于，在每次淀积外延层的时候调节此次外延层的电阻。
5.如权利要求3所述的CoolMOS结构，其特征在于，所述漂移区的浓度是线性变化。
6.如权利要求3所述的CoolMOS结构，其特征在于，CoolMOS器件的漂移区的制作方法不需要增加任何掩模板。
7.如权利要求1所述的CoolMOS结构，其特征在于，所述CoolMOS结构为双扩散金属氧化物半导体场效应管结构。
8.如权利要求1所述的CoolMOS结构，其特征在于，所述CoolMOS结构为纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管结构。
9.如权利要求1所述的CoolMOS结构，其特征在于，所述CoolMOS是由BCD工艺实现的。
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