[发明专利]一种流量控制方法及流量控制装置有效
申请号: | 201711456622.5 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108198771B | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 吴华德;熊光涌;蒋方丹;邢国强;王栩生 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/228;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 流量 控制 方法 装置 | ||
本发明公开了一种流量控制方法及流量控制装置,该流量控制方法包括:获取扩散炉中当前扩散工艺的运行序数;根据扩散工艺的运行序数和小氮流量值的对应关系以及当前扩散工艺的运行序数,得到当前执行扩散工艺所需要的小氮流量值;按照当前执行扩散工艺所需要的小氮流量值,向扩散炉输入小氮。本发明实施例提供的流量控制方法不需要进行人工调节,有利于自动化生产,解决了现有技术中向扩散炉中通入恒定流量的小氮,再通过调节推进温度调节方阻,增加人力成本但得到的硅片方阻波动大,批次间硅片方阻均匀性差的问题,实现节约人力成本,批次间硅片方阻值均匀性良好的目的。
技术领域
本发明实施例涉及流量控制技术,尤其涉及一种流量控制方法及流量控制装置。
背景技术
目前,太阳能作为一种替代化石烧料的可持续绿色能源得到快速发展。太阳能电池制备过程中必须制备PN结,热扩散法是应用最广泛的制结方式,其掺杂均匀性直接影响太阳电池的效率。为提升太阳电池效率,高方块电阻(方阻)成为目前扩散工艺的发展方向,这对扩散均匀性提出了更高要求。
现有的扩散工艺一般使用惰性气体携带液态源对硅片掺杂,扩散过程包括有源扩散和推进步骤,有源扩散方法为扩散石英管升温至工艺温度时,根据工艺设置,在固定的时间内通入固定的大氮、小氮和氧气流量,然后通过调节扩散或推进步骤的时间或温度来达到需求的方阻值。
然而,现有的扩散方式中批次间得到的方阻值均匀性较差,需要增加人力不断调整扩散或推进步骤的时间或温度,以便得到批次间均匀性较好的方阻值,增加了人力成本,并且上述调整方法增加了扩散条件的变因,不利于工艺的稳定,得到的硅片方阻值波动较大。
发明内容
本发明提供一种流量控制方法及流量控制装置,以实现节约人力成本,批次间硅片方阻均匀性良好的目的。
第一方面,本发明实施例提供了一种流量控制方法,包括:
获取扩散炉中当前扩散工艺的运行序数;
根据扩散工艺的运行序数和小氮流量值的对应关系以及所述当前扩散工艺的运行序数,得到当前执行所述扩散工艺所需要的小氮流量值;
按照所述当前执行所述扩散工艺所需要的小氮流量值,向所述扩散炉输入小氮。
可选的,所述流量控制方法,还包括:
更换液态扩散源存储罐后,从0开始,每运行完一次扩散工艺,扩散工艺运行次数加1;
所述获取扩散炉中当前扩散工艺的运行序数,包括:
获取从更换液态扩散源存储罐起至当前时刻止的时间段内扩散工艺的总运行次数;
将所述扩散工艺的总运行次数加1作为当前扩散工艺的运行序数。
可选的,所述根据扩散工艺的运行序数和小氮流量值的对应关系以及所述当前扩散工艺的运行序数,得到当前执行所述扩散工艺所需要的小氮流量值之前,还包括:
构建扩散工艺的运行序数和小氮流量值的对应关系。
可选的,所述构建扩散工艺的运行序数和小氮流量值的对应关系,包括:
更换液态扩散源存储罐后,对经各次扩散工艺后的硅片的方阻均进行测量;
若经第M次扩散工艺后所述硅片的方阻在第一设定阈值范围之外,判定经过第M次扩散工艺后硅片方阻漂移;
对第M次扩散工艺所需要的小氮流量值进行修正,将修正后的所述小氮流量值作为执行第M次扩散工艺所需要的小氮流量值;
其中,M为正整数。
可选的,所述对第M次扩散工艺所需要的小氮流量值进行修正,将修正后的所述小氮流量值作为执行第M次扩散工艺所需要的小氮流量值,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造