[发明专利]一种悬臂梁式磁传感器、其制备方法与使用方法在审
申请号: | 201711457030.5 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108039404A | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
发明(设计)人: | 巫远招;刘宜伟;李润伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | H01L41/06 | 分类号: | H01L41/06;H01L41/12;H01L41/47 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 陈英俊 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 悬臂梁 传感器 制备 方法 使用方法 | ||
1.一种悬臂梁式磁传感器,其特征是:包括底座与悬臂梁,悬臂梁的一端固定在底座上,另一端为自由端;并且,悬臂梁上设置磁体;
工作状态时,悬臂梁在振源作用下发生振动,当外界磁场作用于磁体,该振动的频率与振幅发生变化,通过检测该振动的频率与振幅实现磁场的探测。
2.如权利要求1所述的悬臂梁式磁传感器,其特征是:所述磁体采用矫顽力大的永磁材料薄膜;
作为优选,所述磁体采用磁致伸缩材料。
3.如权利要求1所述的悬臂梁式磁传感器,其特征是:所述振源是压电晶振片;
作为优选,所述悬臂梁是半导体材料或者金刚石。
4.如权利要求1所述的悬臂梁式磁传感器,其特征是:所述底座与悬臂梁安装在振源上;或者,将底座固定,振源安装在悬臂梁上;
作为优选,所述磁体是设置在悬臂梁上的磁性薄膜;
作为优选,所述磁性薄膜厚度为100纳米~1000纳米。
5.如权利要求1所述的悬臂梁式磁传感器,其特征是:所述磁体设置在靠近悬臂梁自由端的位置,优选为设置在悬臂梁自由端的端部。
6.如权利要求1所述的悬臂梁式磁传感器,其特征是:所述悬臂梁为微纳米尺寸;
作为优选,所述悬臂梁长度为1微米~500微米,宽度为1微米~100微米,厚度为1微米~50微米。
7.如权利要求6所述的悬臂梁式磁传感器,其特征是:所述底座为微纳米尺寸;
作为优选,所述底座的长度为50微米~5000微米,宽度为10微米~1000微米,厚度为5微米~500微米。
8.如权利要求1所述的悬臂梁式磁传感器,其特征是:所述悬臂梁的自由端固定连接另一底座;
作为优选,所述悬臂梁呈U型结构。
9.如权利要求1至8中任一权利要求所述的悬臂梁式磁传感器的制备方法,其特征是:采用磁控溅射在悬臂梁上沉积磁体材料,或者将磁体材料制成可涂敷材料涂敷在悬臂梁上;
作为优选,所述的悬臂梁结构的制备方法为:首先在衬底表面光刻悬臂梁以及底座的图案,然后刻蚀出去该图案以外的衬底部分。
10.如权利要求1至8中任一权利要求所述的悬臂梁式磁传感器的使用方法,其特征是:包括如下步骤:
(1)对该磁传感器中的磁体施加磁场大小固定的外加磁场,测试该磁传感器中悬臂梁的振动频率和/或振幅,改变外加磁场的大小,得到一系列在某一固定外加磁场下的悬臂梁上的参考振动频率和/或参考振幅;
(2)保持与步骤(1)中的测试条件相同,测试该磁传感器中悬臂梁的实际振动频率和/或实际振幅,将该实际振动频率和/或实际振幅与步骤(1)中得到的参考振动频率和/或参考振幅进行比对,与之相同的参考振动频率或参考振幅所对应的外加磁场即为实际测量的磁场值。
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