[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和电子设备在审

专利信息
申请号: 201711457463.0 申请日: 2013-06-19
公开(公告)号: CN108091563A 公开(公告)日: 2018-05-29
发明(设计)人: 胁山悟;冈本正喜;大冈丰;庄子礼二郎;财前义史;长畑和典;羽根田雅希 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L21/3205 分类号: H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/14;H01L27/146
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王增强
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体基体 半导体装置 贯通电极 绝缘层 半导体基 第二表面 第一表面 电子设备 配线层 周界 体内 贯通 制造
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

第一芯片,该第一芯片包括第一配线;

第二芯片,该第二芯片包括第二配线;

贯通电极,该贯通电极设置在第一芯片和第二芯片中;

其中所述贯通电极包括第一接触部分和第二接触部分,所述第一接触部分接触所述第一配线,并且所述第二接触部分接触所述第二配线。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一芯片包括第一半导体衬底。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第二芯片结合到所述第一芯片的第一表面侧并且包括第二半导体衬底。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中所述贯通电极设置成从所述第一芯片的所述第一表面侧到所述第二配线。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括:

第一绝缘层,该第一绝缘层设置在所述贯通电极和所述第一芯片中的第一半导体衬底之间。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一配线设置在第二绝缘层中,并且所述第二配线设置在第三绝缘层中。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711457463.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top