[发明专利]一种卫星用防单点失效的双冗余译码驱动电路及介质在审

专利信息
申请号: 201711457542.1 申请日: 2017-12-28
公开(公告)号: CN108683421A 公开(公告)日: 2018-10-19
发明(设计)人: 蒋敏强;权海洋;张奇荣;张龙;吴开云;赵忠燕 申请(专利权)人: 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
主分类号: H03M13/11 分类号: H03M13/11
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 胡健男
地址: 100076 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 双冗余 输出驱动电路 单点失效 译码电路 输出 译码驱动电路 译码信号 两组 译码 电路 输出驱动管 控制信号 输出驱动 输出指令 译码功能 卫星 高电平 短路 导通 两路 前级 开路 串联
【权利要求书】:

1.一种卫星用防单点失效的双冗余译码驱动电路,其特征在于:包括双冗余译码电路和双冗余输出驱动电路,其中:

双冗余译码电路,包括:第一译码电路、第二译码电路,第一译码电路和第二译码电路结构相同,共用一组输入信号,第一译码电路和第二译码电路输出独立的译码信号,完成双冗余译码功能并作为后级双冗余输出驱动电路的控制信号;第一译码电路的输入为n个,输出为2n个,n为正整数;

双冗余输出驱动电路,包括2n个输出驱动电路,每个输出驱动电路根据第一译码电路和第二译码电路输出的独立的译码信号,进行译码判决,输出译码判决结果。

2.根据权利要求1所述的一种卫星用防单点失效的双冗余译码驱动电路,其特征在于:每个输出驱动电路,包括:PMOS管MP_1、MP_2、MP_3、MP_4、电阻R1、电阻R2;

MP_1的栅极连接MP_2的栅极和第一译码电路的输出,MP_1的源极和衬底以及MP_2的源极和衬底连接电源VDD;

MP_1的漏极和MP_2的漏极连接MP_3的源极和衬底以及MP_4的源极和衬底,MP_3的栅极连接MP_4的栅极以及电阻R1的一端,电阻R1的另一端连接第二译码电路的输出;MP_3的漏极和MP_4的漏极作为双冗余译码驱动电路的输出并连接电阻R2的一端,电阻R2的另一端接地VSS。

3.根据权利要求2所述的一种卫星用防单点失效的双冗余译码驱动电路,其特征在于:R2的取值范围为:10kΩ~30kΩ。

4.根据权利要求2所述的一种卫星用防单点失效的双冗余译码驱动电路,其特征在于:电阻R1与电阻R2的比为9:1~12:1。

5.根据权利要求2所述的一种卫星用防单点失效的双冗余译码驱动电路,其特征在于:电源VDD的电压为3~18V。

6.根据权利要求1所述的一种卫星用防单点失效的双冗余译码驱动电路,其特征在于:第一译码电路的n个输入为A0~Am,m取n-1,第一译码电路的输出为B0~Bk,k=2n-1,当n=3时,译码电路的输入和输出的关系如下:

第一译码电路的输入为A0~A2,第一译码电路的输出为B0~B7,则满足:

当A0=0且A1=0且A2=0时,B0=0,其它输出为1;

当A0=1且A1=0且A2=0时,B1=0,其它输出为1;

当A0=0且A1=1且A2=0时,B2=0,其它输出为1;

当A0=1且A1=1且A2=0时,B3=0,其它输出为1;

当A0=0且A1=0且A2=1时,B4=0,其它输出为1;

当A0=1且A1=0且A2=1时,B5=0,其它输出为1;

当A0=0且A1=1且A2=1时,B6=0,其它输出为1;

当A0=1且A1=1且A2=1时,B7=0,其它输出为1。

7.根据权利要求1所述的一种卫星用防单点失效的双冗余译码驱动电路,其特征在于:第二译码电路的n个输入为A0~Am,m取n-1,第二译码电路的输出为C0~Ck,k=2n-1,当n=3时,译码电路的输入和输出的关系如下:

第二译码电路的输入为A0~A2,第二译码电路的输出为C0~C7,则满足:

当A0=0且A1=0且A2=0时,C0=0,其它输出为1;

当A0=1且A1=0且A2=0时,C1=0,其它输出为1;

当A0=0且A1=1且A2=0时,C2=0,其它输出为1;

当A0=1且A1=1且A2=0时,C3=0,其它输出为1;

当A0=0且A1=0且A2=1时,C4=0,其它输出为1;

当A0=1且A1=0且A2=1时,C5=0,其它输出为1;

当A0=0且A1=1且A2=1时,C6=0,其它输出为1;

当A0=1且A1=1且A2=1时,C7=0,其它输出为1。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所,未经北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711457542.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top