[发明专利]薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201711457804.4 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108198861A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 安喜锋 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶硅层 遮光层 薄膜晶体管 晶界 衬底基板 晶块 薄膜晶体管器件 缓冲层表面 导电性能 异面直线 缓冲层 电阻 沟道 凸起 异面 跨过 垂直 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：衬底基板，设置在所述衬底基板表面的遮光层、设置在所述衬底基板和所述遮光层上方的缓冲层、设置在所述缓冲层表面的多晶硅层；
其中，所述多晶硅层由晶块组成，相邻的所述晶块之间存在凸起的晶界，所述晶界与所述多晶硅层的边界相垂直，所述晶界所在的直线与所述遮光层边界所在的直线为异面直线。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为U型薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述缓冲层上各部分的厚度相同。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层的结构为长方体结构和棱台结构的其中一种。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层正上方的多晶硅层为直线形结构，所述遮光层正上方的多晶硅层位于所述遮光层上的投影与所述遮光层的边界相交且不垂直。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层边界正上方的多晶硅层存在晶界与所述遮光层边界相对应，所述遮光层正上方的晶界位于所述遮光层上的投影与所述遮光层的边界相交。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层的结构为锯齿状结构。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层水平方向上包括第一边界、第二边界、第三边界和第三边界，其中所述第一边界和所述第二边界相平行，所述第三边界和第四边界相对。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层正上方的多晶硅层为直线形结构，所述遮光层正上方的多晶硅层位于所述遮光层上的投影与所述遮光层的第一边界相平行。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层边界正上方的多晶硅层存在晶界与所述遮光层边界相对应，所述遮光层正上方的晶界位于所述遮光层上的投影与所述第三边界和第四边界相交。
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