[发明专利]基板处理方法及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其中，包括：

基板保持工序，使用于将基板保持为水平的基板保持单元保持所述基板；

密闭工序，在将保持有所述基板的基板保持单元收纳于腔室的内部空间的状态下，密闭所述内部空间；

液膜形成工序，通过对保持为水平的所述基板的上表面供给用于处理所述基板的上表面的处理液，在所述基板上形成所述处理液的液膜；

加压工序，通过对所述内部空间供给气体，对所述内部空间加压，直至所述内部空间的压力达到高于大气压的第一压力；

加热工序，加热所述基板，使得在所述内部空间的压力达到所述第一压力的状态下，在所述液膜与所述基板之间形成所述处理液的蒸气层；以及

液膜排除工序，通过一边维持在所述液膜与所述基板之间形成所述处理液的蒸气层的状态，一边对所述内部空间减压直至所述内部空间的压力达到小于所述第一压力的第二压力，使所述处理液蒸发，从所述基板上排除所述液膜，

使所述液膜形成工序中的对所述基板的处理液的供给与所述加压工序中的气体的供给并行执行。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述第二压力是大气压以下的压力。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述第二压力是与大气压相等的压力，

所述液膜排除工序包括气体排出工序，在所述气体排出工序中，将所述内部空间向所述内部空间的外部开放，从而将所述内部空间内的气体向所述内部空间的外部排出，以对所述内部空间减压。

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

以所述基板的温度不超过处理液的在所述内部空间的压力下的沸点的方式，使所述加压工序中的气体的供给与所述加热工序中的所述基板的加热并行执行。

5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述加热工序包括接触加热工序，在所述接触加热工序中，在使加热器单元与所述基板的下表面接触的状态下加热所述基板。

6.一种基板处理装置，其中，包括：

基板保持单元，将基板保持为水平；

腔室，具有用于收纳所述基板保持单元的内部空间；

处理液供给单元，对保持为水平的所述基板的上表面供给用于处理所述基板的上表面的处理液；

加热器单元，加热所述基板；

气体供给单元，对所述内部空间供给气体；

减压单元，对所述内部空间减压；以及

控制器，控制所述基板保持单元、所述腔室、所述处理液供给单元、所述加热器单元、所述气体供给单元以及所述减压单元，

所述控制器被编程为执行以下工序：

基板保持工序，使所述基板保持单元保持基板；

密闭工序，密闭在收纳有所述基板保持单元的状态下的所述内部空间；

液膜形成工序，通过对所述基板的上表面供给所述处理液，在所述基板上形成所述处理液的液膜；

加压工序，通过对所述内部空间供给气体，对所述内部空间加压，直至所述内部空间的压力达到高于大气压的第一压力；

加热工序，加热所述基板，使得在所述内部空间的压力达到所述第一压力的状态下，在所述液膜与所述基板之间形成所述处理液的蒸气层；以及

液膜排除工序，通过一边维持在所述液膜与所述基板之间形成所述处理液的蒸气层的状态，一边对所述内部空间减压直至所述内部空间的压力达到小于所述第一压力的第二压力，使所述处理液蒸发，从所述基板上排除所述液膜，

所述控制器被编程为使所述液膜形成工序中的对所述基板的处理液的供给与所述加压工序中的气体的供给并行执行。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，

所述第二压力是大气压以下的压力。