[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具有：

第一导电型的第一半导体区域；

第二导电型的第二半导体区域，其配置于所述第一半导体区域之上；

第一导电型的第三半导体区域，其配置于所述第二半导体区域之上；

第二导电型的第四半导体区域，其配置于所述第三半导体区域之上；

绝缘膜，其配置于从所述第四半导体区域的上表面延伸并贯通所述第四半导体区域以及所述第三半导体区域而到达所述第二半导体区域的槽的内壁上；

控制电极，其在所述槽的侧面配置于所述绝缘膜上，并与所述第三半导体区域对置；

第一主电极，其与所述第一半导体区域电连接；以及

第二主电极，其与所述第四半导体区域电连接，

所述槽的宽度相对于所述第三半导体区域的与所述第二主电极接触的宽度之比为1以上，

所述半导体装置具有连接槽，所述连接槽在包围活性区域的外周区域内将所述槽彼此连接，并且所述连接槽遍及整体，具有比相邻的所述槽的宽度窄的槽宽，

所述第四半导体区域不沿着所述连接槽设置，

在所述连接槽的下方且在所述第二半导体区域的下方的区域中设置有所述第一半导体区域。

2.一种半导体装置，其特征在于，

具有：

第一导电型的第一半导体区域；

第二导电型的第二半导体区域，其配置于所述第一半导体区域之上；

第一导电型的第三半导体区域，其配置于所述第二半导体区域之上；

第二导电型的第四半导体区域，其配置于所述第三半导体区域之上；

绝缘膜，其配置于从所述第四半导体区域的上表面延伸并贯通所述第四半导体区域以及所述第三半导体区域而到达所述第二半导体区域的槽的内壁上；

控制电极，其在所述槽的侧面配置于所述绝缘膜上，并与所述第三半导体区域对置；

第一主电极，其与所述第一半导体区域电连接；以及

第二主电极，其与所述第四半导体区域电连接，

所述槽的总面积相对于所述第三半导体区域的与所述第二主电极接触的总面积之比为1以上，

所述半导体装置具有连接槽，所述连接槽在包围活性区域的外周区域内将所述槽彼此连接，并且所述连接槽遍及整体，具有比相邻的所述槽的宽度窄的槽宽，

所述第四半导体区域不沿着所述连接槽设置，

在所述连接槽的下方且在所述第二半导体区域的下方的区域中设置有所述第一半导体区域。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述连接槽从所述第三半导体区域的上表面延伸并贯通所述第三半导体区域而到达所述第二半导体区域，且在多个所述槽的排列方向上延伸，与多个所述槽中的排列于排列的最外侧的槽的端部连接。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制电极的下方的绝缘膜的膜厚比所述控制电极的侧面的绝缘膜的膜厚厚。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制电极具有第一控制电极和第二控制电极，所述第一控制电极和所述第二控制电极设置于所述槽的第一侧面和与该第一侧面对置的第二侧面，且以隔着所述绝缘膜与所述第三半导体区域对置的方式配置，所述槽在俯视观察时呈带状延伸，所述第一侧面与所述第二侧面在所述槽的延伸方向上的长度比所述第一侧面与所述第二侧面对置的间隔大。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制电极具有第一控制电极和第二控制电极，所述第一控制电极和所述第二控制电极设置于所述槽的第一侧面和与该第一侧面对置的第二侧面，且以隔着所述绝缘膜与所述第三半导体区域对置的方式配置，所述第一控制电极与所述第二控制电极在所述槽的延伸方向上延伸并到达所述连接槽。

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第四半导体区域沿着所述槽分散地配置。

8.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述槽的宽度是3μm～15μm，

所述槽的宽度比所述槽的深度大，所述槽的深度是2μm～10μm。