[发明专利]IGBT温度传感器校正装置和使用其的温度感测校正方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管温度传感器校正装置，包括：

绝缘栅双极型晶体管IGBT；

温度传感器，其具有感测二极管；以及

过程变化传感器，其具有内部电阻器。

2.根据权利要求1所述的IGBT温度传感器校正装置，进一步包括：

外部电阻器，其串联连接到所述内部电阻器，并被配置为确定分配给所述温度传感器的电流的值；以及

驱动器集成电路IC，其被配置为根据所述电流值校正所述温度传感器的感测电压。

3.根据权利要求2所述的IGBT温度传感器校正装置，其中所述驱动器IC将所述温度传感器的感测电压转换为温度信息。

4.根据权利要求1所述的IGBT温度传感器校正装置，其中所述过程变化传感器包括由低掺杂硅形成的电阻器图案。

5.根据权利要求4所述的IGBT温度传感器校正装置，其中所述过程变化传感器通过使用与用于所述温度传感器的掩模相同的掩模的光刻过程形成。

6.根据权利要求4所述的IGBT温度传感器校正装置，其中所述过程变化传感器包括：

第一水平电阻器线，其与栅极焊盘隔开预定距离并且在水平方向上布置；

第一垂直电阻器线，其垂直于所述第一水平电阻器线的一端布置；

第二水平电阻器线，其与所述第一垂直电阻器线的一端水平布置，并且与所述第一水平电阻器线隔开预定距离；

第二垂直电阻器线，其垂直于所述第二水平电阻器线的一端布置并且与所述第一垂直电阻器线隔开预定距离；以及

第三水平电阻器线，其与所述第二垂直电阻器线的一端水平布置，并且与所述第二水平电阻器线隔开预定距离。

7.根据权利要求6所述的IGBT温度传感器校正装置，其中所述电阻线的值指示所述温度传感器的过程变化的程度。

8.根据权利要求2所述的IGBT温度传感器校正装置，其中所述驱动器IC响应于所述内部电阻器的电阻值来改变分配给所述温度传感器的电流值，并且响应于改变的电流值来校正分配给所述温度传感器的电压值。

9.根据权利要求8所述的IGBT温度传感器校正装置，其中：

当所述温度传感器的所述感测电压低于预定值时，所述驱动器IC通过增加分配给所述温度传感器的电流值来执行增加所述感测电压的偏移电压校正。

10.根据权利要求8所述的IGBT温度传感器校正装置，其中：

当所述温度传感器的感测电压高于预定值时，所述驱动器IC通过减小分配给所述温度传感器的电流值来执行减小所述感测电压的偏移电压校正。

11.一种使用绝缘栅双极型晶体管IGBT温度传感器的温度感测校正方法，所述方法包括：

通过驱动集成电路IC根据过程变化传感器的内部电阻的电阻值来改变分配给温度传感器的电流值；

响应于分配给所述温度传感器的改变的电流值来校正电压值；以及

由所述温度传感器感测校正的电压。

12.根据权利要求11所述的方法，其中改变所述电流值包括：

通过串联连接到所述内部电阻器的外部电阻器确定分配给所述温度传感器的电流值。

13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

将所述温度传感器的所述感测电压转换成温度信息。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述过程变化传感器包括由低掺杂硅形成的电阻器图案。

15.根据权利要求13所述方法，其中所述过程变化传感器通过使用与用于所述温度传感器的掩模相同的掩模的光刻过程形成。