[发明专利]晶圆托盘加工方法

说明书

一种晶圆托盘加工方法，包括：提供托盘，所述托盘具有适于承托晶圆的正面和背向晶圆的背面；提供铝合金车刀、氮化硼车刀和金刚石车刀，利用铝合金车刀对所述正面和背面分别进行粗加工；进行粗加工之后，利用氮化硼车刀对所述正面和背面分别进行半精加工；进行半精加工之后，利用金刚石车刀对所述正面和背面分别进行精加工。利用铝合金车刀粗加工托盘表面，能够提升托盘的加工效率；利用氮化硼车刀半精加工托盘表面，能够使托盘具有相对较好的加工精度；利用金刚石车刀精加工托盘表面，能够使托盘的表面更加光洁，具有更好的表面粗糙度，从而获得非常平整的表面。从而当晶圆防止在托盘上时，不会使晶圆发生倾斜，不会导致晶圆镀膜不均匀。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆托盘的加工方法。

背景技术

在半导体加工工艺中，物理气相成膜(Physical Vapor Deposition,PVD)是常用的一种在晶圆表面镀膜的方法，通过利用粒子轰击靶材的表面，使靶材表面的原子或分子逸出靶材的表面，覆膜在晶圆上。

在镀膜过程中，晶圆通常固定放置在晶圆托盘上，若晶圆托盘表面粗糙度较大或不平整，则容易使得晶圆倾斜，导致晶圆表面镀膜不均匀，从而降低晶圆的品质，影响晶圆的使用。

发明内容

本发明解决的问题是现有技术中晶圆托盘可能使得晶圆倾斜，导致晶圆表面镀膜不均匀。

为解决上述问题，本发明提供一种晶圆托盘加工方法，包括：提供托盘，所述托盘具有适于承托晶圆的正面和背向晶圆的背面；提供铝合金车刀、氮化硼车刀和金刚石车刀，利用铝合金车刀对所述正面和背面分别进行粗加工；进行粗加工之后，利用氮化硼车刀对所述正面和背面分别进行半精加工；进行半精加工之后，利用金刚石车刀对所述正面和背面分别进行精加工。

可选的，所述托盘还具有位于所述正面和背面之间的环形侧面，在对所述正面和背面分别进行半精加工之前，还利用铝合金车刀对所述环形侧面进行切削。

可选的，提供钻头，在对所述正面和背面分别进行精加工之前，利用钻头在所述托盘上加工至少一个定位孔和至少一个螺纹孔。

可选的，所述定位孔为多个，多个所述定位孔沿周向均匀分布；所述螺纹孔为多个，多个所述螺纹孔沿周向均匀分布。

可选的，提供钨钢铣刀，在对所述正面和背面分别进行精加工之前，利用钨钢铣刀对所述正面的边缘进行铣削加工，以形成环形台阶面。

可选的，所述晶圆托盘加工方法包括：在粗加工过程中，利用夹具固定所述托盘、并控制托盘自转，所述托盘的自转转速v1控制在：450r/min≤v1≤550r/min；所述铝合金车刀的进给速度u1控制在：180mm/min≤u1≤220mm/min；所述铝合金车刀的吃刀量a1控制在：0.4mm≤a1≤0.6mm。

可选的，所述晶圆托盘加工方法包括：在半精加工过程中，利用夹具固定所述托盘、并控制托盘自转，所述托盘的自转转速v2控制在：550r/min≤v2≤650r/min；所述氮化硼车刀的进给速度u2控制在：80mm/min≤u2≤120mm/min；所述氮化硼车刀的吃刀量a2控制在：0.15mm≤a2≤0.25mm。

可选的，所述晶圆托盘加工方法包括：在精加工过程中，利用夹具固定所述托盘、并控制托盘自转，所述托盘的自转转速v3控制在：750r/min≤v3≤850r/min；所述金刚石车刀的进给速度u3控制在：15mm/min≤u3≤25mm/min；所述金刚石车刀的吃刀量a3控制在：0.08mm≤a3≤0.12mm。

可选的，在所述粗加工、半精加工和精加工过程中，提供冷却液，以冷却所述托盘。

可选的，在对所述托盘进行粗加工之前，对所述托盘进行热处理。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：