[发明专利]一种垂直结构的发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种垂直结构的发光二极管，包含依次生成的外延层、ITO层、反射层和金属势垒层；所述的外延层由N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层依次生成；所述的N-GaN层上制备N-电极；其特征在于，

在所述的外延层和ITO层之间还生成有绝缘层，该绝缘层图形化生长在P-GaN层上。

2.如权利要求1所述的垂直结构的发光二极管，其特征在于，所述的绝缘层图形化生长在P-GaN层上，且位于垂直对准N-电极的位置，以及位于该发光二极管与其相邻发光二极管之间的间隔位置。

3.如权利要求2所述的垂直结构的发光二极管，其特征在于，所述的绝缘层采用绝缘材料SiO₂生成。

4.如权利要求1所述的垂直结构的发光二极管，其特征在于，在与其相邻发光二极管之间的间隔位置处具有一刻蚀至绝缘层的台阶。

5.一种如权利要求1～4中任一项所述的垂直结构的发光二极管的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

S1、在衬底上生长形成外延层；该外延层包含依次生长的N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层；

S2、在所述的P-GaN层上图形化生长绝缘层；

S3、在所述的绝缘层上、以及未被该绝缘层覆盖的P-GaN层上沉积生成ITO层；

S4、在所述的ITO层上依次沉积生成反射层和金属势垒层；

S5、进行N-台面刻蚀，并在所述的N-GaN层上制备N-电极。

6.如权利要求5所述的垂直结构的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述的S2中，图形化生长绝缘层的方法为：使用浓度为10%的硅烷/氮气混合气体，以及N₂O气体，在600mTorr的压强下，260℃的温度下，80W的功率下，先后分两次进行沉积，生成SiO₂绝缘层。

7.如权利要求6所述的垂直结构的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述的绝缘层的厚度为3000Å～8000Å。

8.如权利要求6所述的垂直结构的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述的绝缘层图形化生长在P-GaN层上，且位于垂直对准N-电极的位置，以及位于相邻两个发光二极管之间的间隔位置。

9.如权利要求5所述的垂直结构的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述的S5中，N-台面刻蚀具体为：去除衬底，刻蚀至N-GaN层；并且在相邻两个发光二极管之间的间隔位置处形成台阶，刻蚀至绝缘层。