[发明专利]SiC基复相陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种SiC基复相陶瓷的制备方法，包括以下步骤：

（1）将混合原料、分散剂、固化交联剂和酒精经机械搅拌，得到混合浆料，所述混合原料由炭黑、石墨和α-SiC陶瓷粉组成；

（2）将步骤（1）所得的混合浆料干燥、粉碎，得到混合粉末；

（3）将步骤（2）所得的混合粉末经模压成型，再等静压成型，最后固化交联，得到成型素坯；

（4）对步骤（3）所得的成型素坯进行气相渗硅烧结，得到SiC基复相陶瓷；

所述分散剂为聚乙烯吡咯烷酮和Dolapix CE64；

所述聚乙烯吡咯烷酮的质量为炭黑的10%～65%，所述Dolapix CE64的质量为α-SiC陶瓷粉的0.2%～1%；

所述α-SiC陶瓷粉由F1200和F240两种不同粒径的α-SiC陶瓷粉组成，F1200粒径的α-SiC陶瓷粉和F240粒径的α-SiC陶瓷粉的质量比为1∶0.5～3。

2.根据权利要求1所述的SiC基复相陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，所述混和浆料的固含量为50%～80%；所述混合原料中，所述炭黑占混合原料的质量百分含量为4%～30%，所述石墨占混合原料的质量百分含量为0.5%～15%，所述α-SiC陶瓷粉占混合原料的质量百分含量为80%～95%。

3.根据权利要求1～2任一项所述的SiC基复相陶瓷的制备方法，其特征在于，所述固化交联剂为热固型酚醛树脂，所述固化交联剂占混合原料、分散剂和固化交联剂总质量的百分含量为1～10%。

4.根据权利要求3所述的SiC基复相陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，所述混合浆料的干燥温度为25～30℃，粉碎至混合粉末的粒径≤60目。

5.根据权利要求4所述的SiC基复相陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，所述模压成型的压力为8～15MPa，模压成型时间为60～120s；所述等静压成型的压力为50～150Mpa，等静压成型时间为60～300s；所述固化交联温度为150℃～180℃，固化交联时间为2～4h。

6.根据权利要求5所述的SiC基复相陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中，所述气相渗硅烧结的温度为1500℃～1700℃，时间为1h～3h。

7.一种如权利要求1～6任一项所述的制备方法所制得的SiC基复相陶瓷，包括SiC和Si两相，SiC为连续相，Si为游离相，游离相弥散分布于连续基体相中。