[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

第一道光刻工艺，在衬底上形成第一金属层，采用第一光罩及第一光阻层刻蚀形成栅极；

第二道光刻工艺，在衬底及栅极上形成栅绝缘层及第二金属层，采用第二光罩及第二光阻层刻蚀形成有源层沟道及位于有源层沟道两侧的源极和漏极，在有源层沟道内及第二光阻层表面沉积形成有源层，剥离第二光阻层，保留在有源层沟道内的有源层；

第三道光刻工艺，在有源层、源极和漏极上方形成钝化层，采用第三光罩及第三光阻层在钝化层上刻蚀形成过孔；

第四道光刻工艺，在钝化层上方及过孔内形成第三金属层，采用第四光罩及第四光阻层刻蚀第三金属层，形成与源极或漏极电性连接的电极。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一道光刻工艺具体为：

在衬底上形成第一金属层；

在第一金属层上形成第一光阻层；

采用第一光罩刻蚀第一光阻层及第一金属层；

剥离第一光阻层后在衬底上形成栅极。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二道光刻工艺具体为：

在衬底及栅极上形成栅绝缘层；

在栅极绝缘层上形成第二金属层；

在第二金属层上形成第二光阻层；

采用第二光罩刻蚀栅极上方区域至栅极绝缘层，形成有源层沟道及位于有源层沟道两侧的源极和漏极；

在有源层沟道内及第二光阻层表面沉积形成有源层；

剥离第二光阻层及其上方的有源层，保留在有源层沟道内的有源层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第三道光刻工艺具体为：

在有源层、源极和漏极上方形成钝化层；

在钝化层上形成第三光阻层；

采用第三光罩刻蚀源极或漏极上方区域至源极或漏极；

剥离第三光阻层，在钝化层上刻蚀形成过孔。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第四道光刻工艺具体为：

在钝化层上方及过孔内形成第三金属层；

在第三金属层上形成第四光阻层；

采用第四光罩刻蚀过孔旁侧的第三金属层，至少保留过孔内的第三金属层；

剥离第四光阻层，形成与源极或漏极电性连接的电极。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述有源层为碳纳米管有源层。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

在每一道光刻工艺之前进行清洗工艺。

8.一种根据权利要求1～7中任一项薄膜晶体管的制造方法制备得到的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

衬底；

位于衬底上的栅极；

位于衬底及栅极上的栅极绝缘层；

位于栅极绝缘层上的源极和漏极、以及位于源极和漏极之间的有源层沟道；

位于有源层沟道内的有源层；

位于源极、漏极、及有源层上方的钝化层，所述钝化层上设有贯穿的过孔；

位于钝化层上且贯穿所述过孔的电极，所述电极与源极或漏极电性连接。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为碳纳米管有源层。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。