[发明专利]一种阵列基板的制作方法及阵列基板和显示装置

说明书

一种阵列基板的制作方法及阵列基板，制作方法包括如下步骤：在基板上形成包括源极和漏极的薄膜晶体管；在源极和漏极上形成钝化层；在钝化层上形成与源极和所述漏极对应的第一过孔；在钝化层上形成平坦化层；对平坦化层进行显影曝光处理，在平坦化层上形成第二过孔图案；采用氧气对平坦化层进行灰化处理，在平坦化层上形成第二过孔，第二过孔与第一过孔对齐；采用还原剂对平坦化层进行二次灰化处理。上述阵列基板的制作方法中，通过采用O₂和还原剂对含有第二过孔图案的平坦化层进行灰化处理，降低了源极或漏极与阳极电极的搭接电阻，避免了阵列基板的屏幕在使用时出现发热、色彩显示不均及功耗高等不良问题。

技术领域

本发明涉及平板显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板的制作方法及阵列基板。

背景技术

随着平板显示的发展，高分辨率，低能耗的面板需求不断被提出。其中AMOLED(有源矩阵有机发光二极管)面板因其色域广、对比度高、分辨率高、轻薄、功耗低、响应速度快及具有柔韧性等LCD(液晶显示屏)难以做到的优点，得到了市场和行业内的高度关注

AMOLED面板的阵列基板包括LTPS TFT(低温多晶硅薄膜晶体管)、钝化层、平坦化层和阳极等，LTPS TFT包括具有高迁移率的多晶硅半导体层和源/漏极，源/漏极与多晶硅半导体层连接，AMOLED阳极通过钝化层过孔和平坦化层灰化实现与源/漏极的搭接，通过向多晶硅半导体层和源/漏极提供电流，进而驱动AMOLED的阳极。然而，在传统的制作阵列基板的过程中，通常采用CF4和O2混合气体对钝化层的进行刻蚀，采用氧气对平坦化层进行灰化，由于源/漏极的表面材质为金属，在钝化层刻蚀和灰化过程中，氧气的存在导致源/漏极表面的金属部分被氧化成金属氧化物，从而导致源/漏极与AMOLED的阳极的搭接电阻偏大，进而导致含有上述方法制作的阵列基板的屏幕在使用时出现发热、色彩显示不均及功耗高等不良问题，其中，搭接电阻为源/漏极与AMOLED的阳极接触时产生的电阻。

发明内容

基于此，有必要提供一种降低阳极与源/漏极之间的接触电阻的阵列基板的制作法及阵列基板和显示装置。

一种阵列基板的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成包括源极和漏极的薄膜晶体管；在源极和漏极上形成钝化层；在所述钝化层上形成与所述源极和所述漏极对应的第一过孔；在所述钝化层上形成平坦化层；对所述平坦化层进行显影曝光处理，在所述平坦化层上形成第二过孔图案；采用氧气对所述平坦化层进行灰化处理，在所述平坦化层上形成第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔对齐；采用还原剂对所述平坦化层进行二次灰化处理。

在其中一个实施例中，所述还原剂包括氢气。

在其中一个实施例中，所述氢气的温度为90℃。

在其中一个实施例中，所述平坦化层的材质为有机绝缘材料。

在其中一个实施例中，所述平坦化层的厚度为1.8μm～3.2μm。

在其中一个实施例中，所述对所述平坦化层进行显影曝光显影处理，在所述平坦化层上形成第二过孔图案之后，还包括如下步骤：在250℃～350℃温度范围内，对所述平坦化层进行高温静置。

在其中一个实施例中，所述源极和所述漏极均包括相互叠置的钛层、铝层以及钼层。

在其中一个实施例中，所述源极和所述漏极均包括相互叠置的钛层、铝层以及铬层。

一种阵列基板，采用上述任一项所述阵列基板的制作方法制作得到。

一种显示装置，包括有机电致发光器件以及所述阵列基板，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及发光层，所述发光层位于所述阳极和所述阴极之间，所述有机电致发光器件的阳极与所述阵列基板的源/漏极连接。