[发明专利]一种小塑封体集成电路的高可靠性引线框架加工工艺

说明书

本发明公开了一种小塑封体集成电路的高可靠性引线框架加工工艺，属于集成电路封装技术领域。本发明高可靠性引线框架加工工艺为，先将引线框架进行常规的脱脂、活化、中和、镀铜、预镀银、镀银和退银工序处理，然后将退银后的引线框架依次进行微蚀、再次活化、铜面处理、阳极清洗、银面处理、银保护工序处理后即得。本发明加工工艺通过对引线框架上铜面和和银面的处理，增大了封装过程中塑封料和底材的结合力，集成电路封装后不易分层，从而提高了封装后集成电路的可靠性；经过多次的生产线验证，封装后集成电路可以100%通过一级可靠性测试，能够满足高可靠性集成电路的生产要求。

技术领域

本发明属于集成电路封装技术领域，具体是一种小塑封体集成电路的高可靠性引线框架加工工艺。

背景技术

长期以来，对于塑封体较大的集成电路，如SSOP系列、LQFP系列、QFP系列等，其塑胶的结合面与整个塑封体结合面的比例，即封装比较大，使用普通的引线框架封装后结合较牢固，可以通过一级可靠性（MSL1）测试，不易在加工和使用过程中产生分层，封装后集成电路的使用寿命可以得到保证。

随着电路集成化程度越来越高，集成电路的体积越来越小，如SOP系列、SOT系列等，封装比明显减小，相当于原来塑封体的1/3-1/4，使用普通的引线框架只能通过三级可靠性（MSL3）测试，无法满足高可靠性集成电路的生产要求。而目前市场上使用的高可靠性引线框架，其加工工艺仅对引线框架的铜面进行了处理（图1），封装后集成电路的一级可靠性仍不稳定，尤其在镀银区域和二焊点部位，容易产生分层，影响封装电路的可靠性。

发明内容

本发明的目的是针对上述技术问题，提供一种封装后可通过一级可靠性测试的小塑封体集成电路的高可靠性引线框架加工工艺。

本发明一种小塑封体集成电路的高可靠性引线框架加工工艺为，先将引线框架进行常规的脱脂、活化、中和、镀铜、预镀银、镀银和退银工序处理，然后将退银后的引线框架依次进行微蚀、再次活化、铜面处理、阳极清洗和银面处理，最后进行常规的银保护处理，其中：

微蚀过程为通过腐蚀去掉引线框架表面的镀铜层，使框架表面微观粗化，腐蚀深度为0.2-0.4μm；

再次活化过程为在框架表面形成一种有机膜，为在棕化槽过程均匀的腐蚀框做准备；

铜面处理过程为通过腐蚀及氧化铜框架，处理后在铜框架表面形成一层棕色氧化层，该棕色氧化层可以增强铜面与塑封料的结合力；

阳极清洗过程为通过电解清洗掉引线框架表面的铜粉；

银面处理过程为通过阴极电解，银层表面氧化，处理后在银表面形成一层1.5-2.5nm纳米级的氧化银层，该氧化层可以增强银面与塑封料的结合力。

上述微蚀过程使用的试剂为氟化钠、过硫酸钠和硫酸氢钠的混合水溶液，记为

Descabase CU，浓度40-60 g/L，温度20-30℃。

再次活化过程使用的试剂为苯并三唑的乙二醇单异丙基醚溶液，记为MoldPrepLF Activator，浓度15-25 mL/L，温度35-45℃。