[发明专利]一种半导体碟片激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体碟片激光器，其特征在于，所述激光器包括基底和散热片；

所述基底的正面设置有DBR层，所述DBR层的表面设置有量子阱有源层；

所述基底的背面固定连接有所述散热片，所述基底的背面与所述散热片之间设置有至少一条密封的沟道，所述沟道内填充有预设体积的工作液；其中，所述工作液的预设体积小于沟道的容积。

2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述沟道的深度与所述基底的厚度相同。

3.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述工作液包括以下任意一项或任意组合：

去离子水、乙醇、甲醇、丙酮。

4.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述工作液的体积占所述沟道容积的30％至50％。

5.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述散热片为金刚石散热片或碳化硅散热片。

6.根据权利要求1至5任一项权利要求所述的激光器，其特征在于，所述基底的背面与所述散热片之间设置有至少一条密封的第一沟道和至少一条密封的第二沟道，任一条所述第二沟道与任一条所述第一沟道相连通；所述第一沟道与所述第二沟道内均填充有预设体积的所述工作液。

7.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述基底的背面设置有多条所述沟道，多条所述沟道内均填充有预设体积的所述工作液；其中，多条所述沟道相互平行，多条所述沟道均匀分布在所述基板的背面。

8.一种半导体碟片激光器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在基底一表面依次生长DBR层和量子阱有源层；

在所述基底另一表面刻蚀至少一个沟道；

在所述基底中刻蚀有所述沟道的表面键合散热片；

向所述沟道内注入预设体积的工作液；其中，所述工作液的预设体积小于沟道的容积。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述基底中刻蚀有所述沟道的表面键合散热片包括：

通过等离子体清洗所述基底与所述散热片相对的两个表面，以活化所述基底朝向所述散热片的表面与所述散热片朝向所述基底的表面；

通过去离子水将所述基底与所述散热片相对的两个表面润湿，并以预设的压力压合所述基底与所述散热片相对的两个表面；

以预设温度加热所述基底与所述散热片，以使所述散热片键合于所述基板表面。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述基底另一表面刻蚀至少一个沟道包括：

在所述基底的另一面刻蚀所述基底至所述DBR层，以形成所述沟道。