[发明专利]一种圆片级背金芯片的封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种圆片级背金芯片的封装结构，其硅基本体的正面设有若干个芯片电极和功能感应区以及芯片绝缘层，所述芯片绝缘层覆盖硅基本体并露出芯片电极，其特征在于，

所述芯片绝缘层覆盖硅基本体的划片道的残余部分并向外侧延伸，形成芯片绝缘层延伸部，

还包括正面保护层和塑封层，所述正面保护层覆盖芯片绝缘层并开设正面保护层开口再次露出芯片电极，在所述芯片电极的上表面设置金属凸点，所述金属凸点露出正面保护层，

在所述硅基本体的背面依次设置背金粘结层和铜层，形成背金层，所述背金层的厚度大于5微米，所述背金层通过背金粘结层与硅基本体的背面粘合连接，

所述塑封层包封背金层和硅基本体的裸露面至芯片绝缘层延伸部，并开设塑封层开口，所述塑封层开口局部或全部露出背金层背面，所述背金层背面的裸露面继续与埋在PCB板/基板中的其他IC做互联。

2.根据权利要求1所述的圆片级背金芯片的封装结构，其特征在于，所述金属凸点的材质为铜、锡、锡银合金或Ni/Au、Ni/Pd/Au复合结构。

3.根据权利要求1所述的圆片级背金芯片的封装结构，其特征在于，所述金属凸点高度在5微米至50微米。

4.一种圆片级背金芯片的封装结构的封装方法，包括如下的加工步骤：

步骤一、提供带有芯片电极和划片道的IC芯片的IC圆片，在IC圆片的正面覆盖芯片绝缘层并露出芯片电极的正面；

步骤二、在IC圆片的正面涂覆正面保护层并开设正面保护层开口再次露出芯片电极的上表面，在芯片电极的上表面完成金属凸点的制作；

步骤三、对IC圆片W1的正面进行机械和化学保护，通过键合层与正面支撑体粘结，所述正面支撑体为与IC圆片等尺寸或近似尺寸的玻璃或硅片；

步骤四、将IC圆片W1进行180度翻转，将其背面减薄至指定厚度，在IC圆片的背面用硝酸、氢氟酸这些强酸进行腐蚀，再用弱碱性清洁的方法，形成较利于背金层粘结紧密的背面硅处理面；

步骤五、在背面硅处理面先蒸镀一层比较薄的铬层，形成背金粘结层，再在背金粘结层上蒸镀一层厚铜层，完成背金层的制作；

步骤六、在背金层的背面涂覆光刻胶形成背面保护层Ⅰ，在IC圆片的背面通过曝光显影的方法露出划片道的区域，利用化学方法将厚铜层和保背面保护层Ⅰ腐蚀掉，露出背金粘结层；

步骤七、对背金粘结层进行激光烧蚀，露出划片道硅表面，形成硅基本体烧蚀面，激光烧蚀背金粘结层金属的宽度不小于划片道刻蚀的宽度；

步骤八、去掉背面保护层Ⅰ，重新涂覆背面保护层Ⅱ，通过曝光显影的方法，将露出的划片道区域内的硅刻蚀掉，形成划片槽，到达芯片绝缘层面；

步骤九、去除背面保护层Ⅱ，在IC圆片背面和单颗芯片四周填充含有填料的高分子材料的塑封料，通过注塑成型Molding或者压合Lamination的方式形成塑封层，然后在IC圆片背面依据线路布局要求，通过激光烧蚀，露出背金层的局部背面；

步骤十、应用解除键合的工艺去除键合层和正面支撑体，切割IC圆片W1，形成复数颗背金芯片的封装结构的单体。

5.根据权利要求4所述的圆片级背金芯片的封装方法，其特征在于，步骤二中，所述金属凸点材质为铜、锡、锡银合金或Ni/Au、Ni/Pd/Au复合结构。

6.根据权利要求4所述的圆片级背金芯片的封装方法，其特征在于，步骤二中，所述金属凸点高度在5微米至50微米。

7.根据权利要求4所述的圆片级背金芯片的封装方法，其特征在于，步骤三中，所述键合层的键合材料为紫外剥离膜、热剥离膜或者键合胶水。

8.根据权利要求4所述的圆片级背金芯片的封装方法，其特征在于，步骤八中，所述背面保护层Ⅰ和背面保护层Ⅱ为具有光刻特征的包含填料或者不含填料的高分子材料。