[发明专利]一种大面积柔性疏水多孔硅膜的制备方法有效
| 申请号： | 201711464718.6 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108314993B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 金名亮;卢涵;水玲玲;周国富 | 申请（专利权）人： | 肇庆市华师大光电产业研究院 |
| 主分类号： | C09K3/18 | 分类号： | C09K3/18;C23F1/24;C23F1/02;C23C30/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 526040 广东省肇庆市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 柔性 疏水 多孔 制备 方法 | ||
1.一种大面积柔性疏水多孔硅膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.在4英寸(100)晶向的单晶硅片上旋涂一层光刻胶；
S2.通过光刻技术利用掩膜在此硅片上制备光刻胶图形阵列；
S3.在制备的光刻胶图形阵列表面镀一层金属膜；
S4.移除光刻胶和镀在光刻胶上的金属膜，得到带有金属网格图形的单晶硅片；
S5.将带有金属网格图形的单晶硅片放入氢氟酸和双氧水的混合溶液中进行金属辅助蚀刻，形成多孔硅膜，所述氢氟酸的浓度为1～50wt％，双氧水的浓度为1～33wt％，步骤S5中所述氢氟酸和双氧水的体积比为1:100～100:1，蚀刻时间为1～120min；
S6.将多孔硅膜冲洗干净，干燥，使得多孔硅膜自行剥离；
S7.用有粘性的柔性基底粘附多孔硅膜，得到大面积柔性疏水多孔硅膜；
其中，所述单晶硅片电阻率为0.001～0.005Ω·cm。
2.根据权利要求1所述大面积柔性疏水多孔硅膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述图形阵列图形长度为1～500μm，图形之间的中心距为2～1000μm。
3.根据权利要求2所述大面积柔性疏水多孔硅膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述图形阵列图形长度为15～150μm，图形之间的中心距为2～10μm。
4.根据权利要求1所述大面积柔性疏水多孔硅膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述金属膜为Au或Ag中的任意一种或者两者的混合物。
5.根据权利要求1所述大面积柔性疏水多孔硅膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述金属膜厚度为5～200nm。
6.根据权利要求1所述大面积柔性疏水多孔硅膜的制备方法，其特征在于，步骤S5中所述氢氟酸和双氧水的体积比为1:10～10:1，蚀刻时间为1～120min。
7.权利要求1～6任一所述制备方法制备的大面积柔性疏水多孔硅膜。
8.权利要求7所述大面积柔性疏水多孔硅膜作为疏水材料的应用。
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