[发明专利]一种金属半导体界面复合电流密度的测试方法及装置

权利要求书

1.一种金属半导体界面复合电流密度的测试方法，其特征在于，包括：

提供测试样品组，所述测试样品组包括M个测试样品，所述测试样品为具有第一表面和第二表面的第一态样品，其中，所述测试样品为半导体样品，所述第一表面是P型衬底中N区所在一侧，所述第二表面为P型衬底中P区所在一侧；或者，所述第一表面是或N型衬底中P区所在一侧，所述第二表面为P型衬底中P区所在一侧或N型衬底中N区所在一侧；

检测所述第一态样品中所述第一表面的第一电流密度；

在所述测试样品的所述第一表面上形成第一金属层，以形成第二态样品；所述第一金属层包括N个相似的金属图案，所述金属图案的面积与对应的轮廓图形的面积之比为第一面积比，不同所述金属图案对应的所述第一面积比不同；

检测所述第二态样品中各所述金属图案对应的第二电流密度；

基于所述第一态样品中所述第一表面的第一电流密度、所述第二态样品中各所述金属图案的第一面积比以及对应的第二电流密度，得到第一金属层与半导体界面的复合电流密度；

其中，M和N均为大于或等于1的整数，且M和N不同时等于1；

所述第二态样品还包括第二金属层；

所述第二金属层位于所述第二表面；

所述检测所述第二态样品中各所述金属图案对应的第二电流密度，包括：

对于任一所述金属图案，向所述第二态样品施加设定电压，并检测与所述设定电压对应的流经所述金属图案的电流值；

根据所述设定电压和与所述设定电压对应的流经所述金属图案的电流值，得到所述第二态样品中所述金属图案对应的第二电流密度；

所述第二金属层形成背电场。

2.根据权利要求1所述的金属半导体界面复合电流密度的测试方法，其特征在于，所述金属图案包括多个金属条；

同一个所述金属图案中，各所述金属条互相平行且彼此电连通；

不同所述金属图案彼此电绝缘。

3.根据权利要求2所述的金属半导体界面复合电流密度的测试方法，其特征在于，所述根据所述设定电压和与所述设定电压对应的流经所述金属图案的电流值，得到所述第二态样品中所述金属图案对应的第二电流密度，包括：

将所述设定电压和与所述设定电压对应的流经所述金属图案的电流值代入到下述公式中

得到所述第二态样品中所述金属图案对应的第二电流密度J_0总，其中，A为所述金属图案对应的轮廓图形的面积，V为所述设定电压，I为与所述设定电压对应的流经所述金属图案的电流值，Vt＝kT/q(k为玻尔兹曼常数，T为样品的温度，q为电子的电荷量)；V的取值范围为0.65V-0.8V。

4.根据权利要求1所述的金属半导体界面复合电流密度的测试方法，其特征在于，所述基于所述第一态样品中所述第一表面的第一电流密度、所述第二态样品中各所述金属图案的第一面积比以及对应的第二电流密度，得到第一金属层与半导体界面的复合电流密度，包括：

建立直角坐标系；

以所述金属图案的所述第一面积比为横坐标，以所述第二态样品中所述金属图案对应的第二电流密度为纵坐标，确定各所述金属图案对应的点在所述直角坐标系中的位置，

基于各所述金属图案对应的点在所述直角坐标系中的位置，拟合形成直线；

将所述直线的斜率与所述第一态样品第一表面的第一电流密度之和作为得到所述第一金属层与半导体界面的复合电流密度。

5.根据权利要求1所述的金属半导体界面复合电流密度的测试方法，其特征在于，所述第一态样品用于制作太阳能电池。

6.根据权利要求5所述的金属半导体界面复合电流密度的测试方法，其特征在于，所述第一表面和第二表面包括钝化膜和/或减反射结构。

7.根据权利要求1所述的金属半导体界面复合电流密度的测试方法，其特征在于，所述背电场为局部接触背电场。