[发明专利]一种晶圆的电容测试方法和测试装置

说明书

本发明公开了一种晶圆的电容测试方法和测试装置。测试方法包括获取对应晶圆第一测试位置处的误差寄生电容，误差寄生电容为电容测试设备中测试线路的寄生电容；获取第一测量电容；根据晶圆第一测试位置处的误差寄生电容和第一测量电容获取晶圆第一测试位置处的实际被测电容；更新晶圆第一测试位置处的误差寄生电容至晶圆第二测试位置处的误差寄生电容；获取第二测量电容；根据更新后的误差寄生电容和第二测量电容获取晶圆第二测试位置处的实际被测电容，直至获取晶圆的所有测试位置的实际被测电容。通过本发明的技术方案，提高了晶圆各测试位置的实际电容的测试准确性。

技术领域

本发明实施例涉及电容测试技术领域，尤其涉及一种晶圆的电容测试方法和测试装置。

背景技术

静电存在于日常生活中，静电的累积对电子产品有很大的损害。为防止静电累积所引起的电子产品或者器件损坏，除了从源头减少静电累积外，通常会针对电子产品或者静电敏感器件增加ESD防护。不同的电子产品对ESD防护器件本身的寄生电容有不同的要求，因此，在ESD器件的生产过程中，人们通过测试设备测量ESD器件的寄生电容，来筛选寄生电容不合格的ESD器件。

电容测试设备在测量器件的寄生电容之前一般会测量电容测试设备的测试线路自身的寄生电容作为误差寄生电容，根据测量寄生电容和误差寄生电容获取器件的实际寄生电容，然而在此测量过程中，电容测试设备的测试线路自身的寄生电容会发生变化，即误差寄生电容发生改变，若按照固定的误差寄生电容获取器件的实际寄生电容，导致最终获得的器件的实际寄生电容的准确性大大下降。

发明内容

本发明提供一种晶圆的电容测试方法和测试装置，在获取晶圆目前测试位置处的实际被测电容后，随晶圆测试位置的变化更新了用于误差修正的误差寄生电容，避免了由于误差寄生电容的变化影响获取的实际被测电容，提高了测量得到的晶圆各测试位置的实际被测电容的准确性，提升了晶圆电容的测试良率。

第一方面，本发明实施例提供了一种晶圆的电容测试方法，该电容测试方法包括：

获取对应所述晶圆第一测试位置处的误差寄生电容，所述误差寄生电容为电容测试设备中测试线路的寄生电容；

测量所述晶圆第一测试位置处的电容，获取第一测量电容；

根据对应所述晶圆第一测试位置处的误差寄生电容和所述第一测量电容获取所述晶圆第一测试位置处的实际被测电容；

更新对应所述晶圆第一测试位置处的误差寄生电容至对应所述晶圆第二测试位置处的误差寄生电容；

测量所述晶圆第二测试位置处的电容，获取第二测量电容；

根据更新后的所述误差寄生电容和所述第二测量电容获取所述晶圆第二测试位置处的实际被测电容，直至获取所述晶圆的所有测试位置的实际被测电容。

进一步地，所述更新对应所述晶圆第一测试位置处的误差寄生电容至对应所述晶圆第二测试位置处的误差寄生电容包括：

控制所述电容测试设备的可移动部件沿平行于所述晶圆所在平面的方向移动，使所述晶圆第二测试位置位于所述电容测试设备的探测部件的下方，且移动过程中所述探测部件与所述晶圆未接触；

获取对应所述晶圆第二测试位置处的误差寄生电容，并更新对应所述晶圆第一测试位置处的误差寄生电容至对应所述晶圆第二测试位置处的误差寄生电容。

进一步地，所述获取对应所述晶圆第二测试位置处的误差寄生电容包括：

控制所述电容测试设备的可移动部件沿垂直于所述晶圆所在平面的方向移动，在所述可移动设备移动过程中获取对应所述晶圆第二测试位置处的误差寄生电容。

进一步地，所述根据更新后的所述误差寄生电容和所述第二测量电容获取所述晶圆第二测试位置处的实际被测电容，直至获取所述晶圆的所有测试位置的实际被测电容包括：