[发明专利]一种在衬底上制备图案的方法在审
| 申请号： | 201711467295.3 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108198752A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 曾凡初;黄翀 | 申请（专利权）人： | 长沙新材料产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;B81C1/00 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 郭立中 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 图案 衬底材料 凹凸结构 掩膜材料 基材层 掩膜层 衬底 微纳米结构图案 高深宽比 制备基材 低能耗 高效率 困难度 刻蚀 去除 蒸镀 填充 | ||
1.一种在衬底上制备图案的方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）在衬底材料的一表面上制备基材层，在基材层上制备具有凹凸结构的图案；
（2）在步骤（1）中图案的凹槽中填充掩膜材料；
（3）对基材层和衬底材料进行刻蚀；
（4）去除掩膜材料，在衬底材料上获得具有凹凸结构的图案。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）中，基材层上的图案的制备方法包括热压印法、紫外压印法、电子束曝光法、自组装法中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（2）中，在凹槽中填充掩膜材料的方式包括浸渍、涂覆、铺粉、接触式印刷中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（2）中，在凹槽中填充掩膜材料之后，还包括对凹凸结构的图案的凸起表面进行清洁的步骤。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（2）中，在凹槽中填充掩膜材料之后，还包括对掩膜材料进行固化的步骤。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，固化的方法包括热固化、光固化、微波固化中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（2）中，所述掩膜材料包括金属材料、无机非金属材料、高分子材料的分散液、浆料和粉末中的一种或多种。
8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底材料包括金属、无机非金属、高分子材料中的一种或多种。
9.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底材料包括金刚石、碳化硅、单晶硅、多晶硅、氮化镓、碳化硅、镍中的一种或多种。
10.一种衬底产品，其特征在于，所述衬底产品的至少一表面具有通过如权利要求1-9任一项所述的方法制作的图案。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
