[发明专利]一种在透光衬底上制备微纳米结构图案的方法

权利要求书

1.一种在透光衬底上制备微纳米结构图案的方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）以遮光基材为原料，在透光的衬底材料的一表面上制备遮光基材层，在该遮光基材层上制备凹凸微纳米结构图案；

（2）去除步骤（1）中凹凸微纳米结构图案的凹槽中残余遮光基材；

（3）在步骤（2）中凹凸微纳米结构图案的凹槽中填充掩膜材料，对凹凸微纳米结构图案的凸起表面进行清洁，以去除凸起表面的掩膜材料；

其中，所述掩膜材料包括金属材料、无机非金属材料的分散液、浆料和粉末中的一种或多种；

（4）使用高能光束透过透光衬底，使凹槽中填充的掩膜材料固化，形成掩膜层；

（5）对遮光基材和衬底材料进行刻蚀；

（6）去除掩膜层，在衬底材料上获得微纳米结构图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）中，凹凸微纳米结构图案的制备方法包括热压印法、紫外压印法、电子束曝光法、自组装法中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（3）中，在凹槽中填充掩膜材料的方式包括浸渍、涂覆、铺粉、接触式印刷中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（3）中，清洁方法选自刮、擦、超声清洗。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当掩膜材料为分散液或浆料时，在凹槽中填充掩膜材料之后，还包括预固化步骤，使得分散液或浆料中的溶剂挥发，掩膜材料聚集成块。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（4）中，所述高能光束包括二氧化碳激光、固体激光器激光、聚焦后的可见光光束中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（4）中，所述高能光束为功率为100w以上的激光束。

8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述遮光基材为本征具有遮光性质的材料，或者是包含遮光物质的材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述本征具有遮光性质的材料包括深色的聚丙烯酸类化合物、聚酯、聚醚、聚醚醚酮、聚酰亚胺、苯并噁嗪中的一种或多种。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述遮光物质包括碳纳米颗粒、金属颗粒、无机非金属材料纳米颗粒以及有机颜料中的一种或多种。

11.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底材料包括金刚石、红宝石、氯化钾、砷化镓、硒化锌、玻璃、石英、硅、氧化锌材料中的一种或多种。

12.一种衬底产品，其特征在于，所述衬底产品的至少一表面具有由如权利要求1-11任一项所述的方法制备的微纳米结构图案。